Д814Д => U=12 В Rбал.=(E-Uст.)/(Iст.+Iн.)
Кст.=(∆Е/Е)/(∆U/Uн) ТКН – температупный коэффициент U=(∆U/U)/ ∆t≈0,0001%
5)Стабистор – предназначен для получения малых стабильных напряжений
в них исп. прямая ветвь ВАХ
КС07А U=0,7B
6) Варикап –параметрическая емкость, вкл. в обратном смещении. Примечание :- в системах авто –подстройки частоты в телерадио и т.д.;-получение угловой модуляции(угловой или фазовой)
7)Тунельный диод ВАХ имеет участок «-» R
Примечание: Для получения высокочастотных колебаний (генератор); пороговые утройсва – тригеры Шмита
8) Обращенный диод – это разновидность тунельного - в нем нет «-» R, - в работе используют обратную ветвь ВАХ
Биполярные транзисторы
П/п прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и более выводами
Различают транзисторы проводимости:
n-p-n, p-n-p
Режимы работы БТ
1.)Отсечка – оба перехода закрыты, обратно смещены
2.)Насыщения – оба перехода смещены прямо
3.)Активный режим – эммитеры прямо, колектор обратно
4)Активно инверсный – эммитеры обратно, колектор прямо
Активный режим. Физика работы.
Iк=aIэ+Iко Iко-обратный ток колектора, a-коэффициент передачи тока эмитера
Схемы включения транзисторов.
1)Схема с общей базой
Iвх-Iэ
Iвых-Iк
Uвх-Uэб
Uвых-Uкб
2)Схема с общим эмитером
3) Схема с общим колектором
Каждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических ВАХ
Iвх=f(Uвх) | Uвых-const
Iвых=f(Uвых) | Iвх-const
ВАХ транзисторов
1)ОЭ
Iк=bIб +(Uкэ/r*к)+I*к0 b-коэффициент передачи Iб
b=a/1-a
2)ОБ
Iк=aIэ+I к0+(Uкб/rк) r*к=( rк/1+b) I*к0=I к0(1+b)
Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора
1)ОЭ
rк≈100 Ом rэ=dUбэ/dIб | Uк- const
rэ=2jt/Iэ0 =(Si)≈50мВ/ Iэ0
r*к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм
Ск*=Ск(1+b) ≈ 5-15мкФ
2)ОБ
rэ=dUбэ/dIэ | Uк- const
r*к=dUкб/dIк | Iэ- const
Частотные свойства транзистора
Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b
fср=fсрa/b – для b
h –параметры транзистора
ΔU1=h11ΔI1+h12 ΔU2
ΔI2=h21ΔI1+h22 ΔU2
h11= ΔU1/ ΔI1 │ΔU2=0 – входной сигнал
h12= ΔU1/ ΔU2 │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи
│ΔI1=0
h21= ΔI2/ ΔI1 │ ΔU2=0 – коэф усиления I
h22= ΔI2/ ΔU2 │=1/rк выходная проводимость
│ΔI1=0
Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора
ОБ
ОЭ
h11
rэ+rб(1-α)
rб+rэ(1+β)
h12
0
0
h21
α
β
h22
1/rк
1/rк*=(1+ β)/rк
Полевые транзисторы (ПТ)
В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.
ПТ с: p-n переходом
МДМ или МОП
«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.
«-»-малая крутизна
ПТ с p-n переходом
Структура и работа.
ВАХ: выходная
rc=ΔUcч/ΔIc
Uзи=const(отсечки)
≈10-100кОм
Стокозатворная характеристика
крутизна:
S=(dIc/dUзи)
Uc=const
(МДП)-транзисторы-МОП
МОП: -с встроенным
-с индуцируемым
Структура и работа.
Работа основана на явлении изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля.
ВАХ:
стокзатворная изолированный канал
Встроенный канал
cтокзатворная
rк=1/s “+”высокое Rвх 1012…14 Ом, высокие допустимые напряжения
Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R.
Терристор
П/п прибор с 3-мя и более p-n переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор.
Динистор: структура и работа
|
|||
Если преложить «+» к аноду то П1-П3 смещаются прямо ->их R мало, П2 смещается обратно. По мере возрастания Uлк ширина П2 увеличивается ->и с Uак создается U пробоя ->динистор открывается. После пробоя П2 его R резко падает и внешнее Uак перераспределяется на П1и П3 ->резко возрастает напряжение, ->I тоже растет ->возникает «+» обратная связь. Чем больше открывается П2, тем больше отпирается П1 и П3,тем больше I.
Ток через динистор, когда он открыт, ограничивается внешними элементами
ВАХ
Если U на динисторе =0 тогда ток определяется отношением E/Rн
Применение: можно построить генератор.
Тринистор:
Одна из баз имеет внешний вывод- управляющий электрод.
Подавая ток через базу можно увеличивать ток через переход П3 и создовать условия для раннего отпирания тринистора -> I управл.может управлять моментом отпирания
Применяют: управляемые выпрямители, преобразователи частоты, инверторы
Пр.
Симисторы.
Элементы оптоэлектороники
Световой луч играет роль эл. сигнала =>
«+» - нет влияния электромагнитных помех
-полная эл. развязка
-широкий диапозон частот
-согласование цепей
«-» нельзя свет преобразовать в механическое движения
Основной элемент – оптрон -> пара с фотонной связью
ИС - источник света, ФП – фотоприемник.
