Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )
Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )
Техническое задание №6.
Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.
Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем
n-полупроводника.
Элемент
Характеристика
1
R1 – R4
4,7 кОм ±20%
2
R5
3,3 кОм ±20%
3
C1 – C4
20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2
4
T1 – T4
Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.
