В данном курсовом проекте режим класса АВ задаётся делителем на резисторах R3 - R4 и кремниевых диодах VD1-VD2 .
рис 2.1 рис 2.2 рис 2.3
Расчёт параметров усилителя мощности
1. Расчёт амплитудных значений тока и напряжения на нагрузке
1.1 Найдём значение амплитуды на нагрузке Uн . Поскольку в задании дано действующее значение мощности, применим формулу:
Uн2 ______ ______________
Pн = ¾¾¾ Þ Uн = Ö 2Rн Pн = Ö 2 * 4 Ом * 5 Вт = 6.32 В
2Rн
1.2 Найдём значение амплитуды тока на нагрузке Iн :
Uн 6.32 В
Iн = ¾¾¾ = ¾¾¾¾ = 1.16 А
Rн 4 Ом
2. Предварительный расчёт оконечного каскада
Для упрощения расчёта проведём его сначала для режима В.
2.1 По полученному значению Iн выбираем по таблице ( Iк ДОП > Iн) комплиментарную пару биполярных транзисторов VT1-VT2 : КТ-817 (n-p-n типа) и КТ-816 (p-n-p типа). Произведём предварительный расчёт энергетических параметров верхнего плеча бустера (см рис. 3.1).
Рис. 3.1
2.2 Найдём входную мощность оконечного каскада Pвх . Для этого нужно сначала расчитать коэффициент усиления по мощности оконечного каскада Kpок , который равен произведению коэффициента усиления по току Ki на коэффициент усиления по напряжению Ku :
Kpок = Ki * Ku
Как известно, для каскада ОК Ku £ 1 , поэтому, пренебрегая Ku , можно записать:
Kpок » Ki
Поскольку Ki = b+1 имеем:
Kpок » b+1
Из технической документации на транзисторы для нашей комплементарной пары получаем b = 30. Поскольку b велико, можно принять Kpок = b+1 » b. Отсюда Kpок = 30 .
Найдём собственно выходную мощность бустера. Из соотношения
Pн
Kpок = ¾¾
Pвх
Pн
получим Pвх = ¾¾ , а с учётом предыдущих приближений
Kpок
Pн
Pвх = ¾¾
b
5000 мВт
= ¾¾¾¾¾ = 160 мВт
30
2.3 Определим амплитуду тока базы транзистора VT1 Iбvt1 :
Iк
Iб = ¾¾¾ , т.к. Iн = Iкvt1 получим :
1+b
Iн Iн 1600 мА
Iбvt1 = ¾¾¾ » ¾¾¾ = ¾¾¾¾ = 52 мА
1+bvt1 bvt1 30
2.4 Определим по входной ВАХ транзистора напряжение на управляющем
переходе Uбэ (cм. рис 3.2)
рис 3.2
Отсюда находим входное напряжение Uвхvt1
Uвхvt1 = Uбэvt1 + Uн = 1.2 В + 6.32 В = 7.6 В
2.5 Определим входное сопротивление верхнего плеча бустера Rвх :
Uвх Uвх 7.6 В
Rвх = ¾¾¾ = ¾¾¾ = ¾¾¾¾ = 150 Ом
Iвхvt1 Iбvt1 5.2*10-3
Поскольку из-за технологических особенностей конструкции интегрального операционного усилителя К140УД6 полученное входное сопротивление (оно же сопротивление нагрузки ОУ ) мало (для К140УД6 минимальное сопротивление нагрузки Rmin оу = 1 кОм ), поэтому для построения оконечного каскада выбираем составную схему включения (чтобы увеличить входное сопротивление Rвх ). Исходя из величины тока базы транзистора VT1 Iбvt1 (который является одновременно и коллекторным током транзистора VT3 ) выбираем комплементарную пару на транзисторах КТ-361 (p-n-p типа) и КТ-315 (n-p-n типа). Соответственно схема оконечного каскада примет вид, показанный на рис. 3.3 .