Расчет компенсационных стабилизаторов напряжения

где  Uкз minминимальное напряжение на регулирующем транзисторе VT3.

        Исходя из того, что VT3 предположительно кремневый, то Uкз min выбираем в пределе 3..5 В.

        Учитывая нестабильность входного напряжения на входе стабилизатора ±10%, находим среднее и максимальное напряжение на входе стабилизатора:

        U вх сер  = U вх min  / 0.9 = 18 / 0.9 = 20 В ,                         (4.2)

U вх max = 1.1 ´ U вх сер  = 1.1 ´ 20 = 22 В .                        (4.3)

Определяем максимальное значение на регулирующем транзисторе

U к3 max = U вх max - Uн = 22 – 15 = 7 В .                            (4.4)

Мощность, которая рассеивается на коллекторе транзистора VT3, равняется

Р3 = Uк3 max ´ Iн = 7 ´ 5 = 35 Вт.                                     (4.5)

По полученным значениям Uк3 max , Iн , Р3 выбираем тип регулирующего транзистора и выписываем его параметры:

Марка транзистора

2Т827В

Тип транзистора

NPN

Допустимый ток коллектора, Iк доп

20 А

Доп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп 

100 В

Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред

125 Вт

Минимальный коэф. передачи тока базы, h21Э3 min

750

По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:

h11Э3 = 33.0 Ом ,

m3 = 1 / h12Э3 = 1 /  0.23 = 4.20 ,

где h11Э3 – входное сопротивление транзистора, Ом; m3 – коэффициент передачи напряжения; h12Э3 – коэффициент обратной связи.

        Находим ток базы транзистора VT3

       

        IБ3 = Iн / h21Э3 min = 5 / 750 = 6.67´10-3 А .                                (4.6)

        Определяем начальные данные для выбора транзистора VT2. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер VT2

 

        Uк2 max  = Uк3 max - Uбэ3 = 7 – 0.7 = 6.3 В ,                          (4.7)

где Uбэ3 – падение напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT3 (0.7 В).

Ток коллектора VT2 состоит из тока базы VT3 и тока потерь, который протекает через резистор R3,

Iк2 = Iб3 + IR3 = 5´10-4 + 6.7´10-3 = 7.2´10-3 А.                 (4.8)

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT2, равняется

 

Р2 = Iк2 ´ Uк2 max = 7.2´10-3 ´ 6.3 = 45.2´10-3 Вт.           (4.9)

По полученным значениям Uк2 max , Iк2 , Р2 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:

Марка транзистора

2Т603Б

Тип транзистора

NPN

Допустимый ток коллектора, Iк доп

300 мА

Доп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп 

30 В

Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред

0.5 Вт

Минимальный коэф. передачи тока базы, h21Э2 min

60

По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:

h11Э2 = 36.36 Ом ,

m3 = 1 / h12Э2 = 1 /  0.022 = 45.45 .

        Рассчитываем ток базы VT2

        IБ2 = Iк2 / h21Э2 min = 7.2´10-3 / 60 = 1.2´10-4 А.               (4.10)

        Находим сопротивление резистора R3

       

        R3 = (Uн + Uбэ3) / IR3 = (15 + 0.7) / 5´10-4 =31400 Ом.  (4.11)

Выбираем ближайший по стандарту номинал с учетом рассеиваемой на резисторе мощности

РR3(Uн + Uбэ3) ´ IR3 = (15 + 0.7) ´  5´10-4 = 7.85´10-3 Вт.   (4.12)

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125  33 кОм ±5%.

Источником эталонного напряжения берем параметрический стабилизатор напряжения на кремневом стабилитроне VD2 из расчета

UVD2 = 0.7 Uн = 0.7 ´ 15 = 13.5 В.                                 (4.13)

        Выбираем тип стабилитрона и выписываем его основные параметры:

        стабилитрон 2С213Б;

        I VD2 = 5´10-3 А – средний ток стабилизации;

        r VD2 = 25 Ом – дифференциальное сопротивление стабилитрона.

Вычисляем сопротивление резистора R4, задавши средний ток стабилитрона (I R4 = I VD2)

       

        R4 = 0.3 Uн / I R4 = 0.3 ´ 15 / 5´10-3 = 900 Ом.             (4.14)

Мощность, рассеиваемая на резисторе R4, равняется

       

        РR4 =0.3Uн ´ I R4 = 0.3´15´  5´10-3 = 22.5´10-3 Вт.     (4.15)

В соответствии с рядом Е24 выбираем резистор типа МЛТ- 0.125  910 Ом ±5%.

        Определяем начальные данные для выбора транзистора VT4. Рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер транзистора

        Uк4max = Uн + Uбэ3 + Uбэ2 - UVD2 = 2.90 В                          (4.16)

Задаем ток коллектора VT4 меньшим нежили средний стабилитронаVD2

        I К4 = 4´10-3 А .

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора VT4

Р2 = Iк4 ´ Uк4 max = 4´10-3 ´ 2.90 = 11.6´10-3 Вт           (4.17)

По полученным значениям Uк4 max , Iк4 , Р4 выбираем тип транзистора и выписываем его параметры:

Марка транзистора

КТ312В

Тип транзистора

NPN

Допустимый ток коллектора, Iк доп

30 мА

Доп. напряжение коллектор-эмиттер, Uк доп 

15 В

Рассеиваемая мощность коллектора, Pпред

0.22 Вт

Минимальный коэф. передачи тока базы, h21Э4 min

50

По статическим ВАХ выбранного транзистора находим:

h11Э4 = 208,3 Ом ,

m3 = 1 / h12Э4 = 1 /  0.034 = 29.41

        Рассчитываем ток базы VT4

        IБ4 = Iк4 / h21Э4 min = 4´10-3 / 50 = 8´10-5 А.                     (4.18)

        Ток последовательно соединенных резисторов R5, R6, R7 берем равным 5Iб4 и определяем суммарное сопротивление делителя

        Rдел = Uн / Iдел­ = 15 / (5 ´ 8´10-5) = 37500 Ом.              (4.19)

       

Находим сопротивления резисторов:

        R5 = 0.3 Rдел = 0.3 ´ 37500 = 11250 Ом;

        R6 = 0.1 Rдел = 0.1 ´ 37500 = 3750 Ом;

        R7 = 0.6 Rдел = 0.6 ´ 37500 = 22500 Ом.                     (4.20)

Страницы: 1, 2, 3



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать