В качестве модулятора можно использовать управляемые ключевые схемы, выполненные обычно на ПТ. Простейшим демодулятором является обычный двухполупериодный выпрямитель с фильтром на выходе. Следует заметить, что существует большое многообразие схемных решений как модуляторов, так и демодуляторов, рассмотрение которых не позволяет ограниченный объем данного пособия.
В качестве недостатков УПТ с преобразованием сигнала следует отнести проблему реализации модуляторов малого уровня входного сигнала и повышенную сложность схемы.
Достичь существенного улучшения электрических, эксплуатационных и массогабаритных показателей УПТ можно за счет их построения на основе балансных схем.
5.3. Дифференциальные усилители
В настоящее время наибольшее распространение получили УПТ на основе дифференциальных (параллельно-балансных или разностных) каскадов. Такие усилители просто реализуются в виде монолитных ИМС и широко выпускаются промышленностью (КТ118УД, КР198УТ1 и др.). На рисунке 5.5 приведена принципиальная схема простейшего варианта дифференциального усилителя (ДУ) на БТ.
Любой ДУ выполняется по принципу сбалансированного моста, два плеча которого образованы резисторами и , а два других - транзисторами и . Сопротивление нагрузки включено в диагональ моста. Резисторы цепи ПООСТ и обычно невелики или вообще отсутствуют, поэтому можно считать, что резистор подключен к эмиттерам транзисторов.
Двухполярное питание позволяет обойтись на входах (выходах) ДУ без мостовых схем за счет снижения потенциалов баз (коллекторов) до потенциала общей шины.
Рассмотрим работу ДУ для основного рабочего режима - дифференциального. За счет действия транзистор приоткрывается, и его ток эмиттера получает приращение , а за счет действия транзистор призакрывается, и ток его эмиттера получает отрицательное приращение . Следовательно, результирующее приращение тока в цепи резистора при идеально симметричных плечах близко к нулю и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует.
При анализе ДУ выделяют два плеча, представляющие собой каскады с ОЭ, в общую цепь эмиттеров транзисторов которых включен общий резистор , которым и задается их общий ток. В связи с этим представляется возможным при расчете частотных и временных характеристик ДУ пользоваться соотношениями подразделов 2.5 и 2.12 с учетом замечаний, приведенных в подразделе 4.4. Например, коэффициент усиления дифференциального сигнала будет равен в случае симметрии плеч (см. подраздел 4.4) , т.е. дифференциальный коэффициент усиления равен коэффициенту усиления каскада с ОЭ.
ДУ отличает малый дрейф нуля, большой коэффициент усиления дифференциального (противофазного) сигнала и большой коэффициент подавления синфазных помех, т.е. малый коэффициент передачи синфазного сигнала .
Для обеспечения качественного выполнения этих функций необходимо выполнить два основных требования. Первое из них состоит в обеспечении симметрии обоих плеч ДУ. Приблизиться к выполнению этого требования позволила микроэлектроника, поскольку только в монолитной ИМС близко расположенные элементы действительно имеют почти одинаковые параметры с одинаковой реакцией на воздействие температуры, старения и т.п.
Второе требование состоит в обеспечении глубокой ООС для синфазного сигнала. В качестве синфазного сигнала для ДУ выступают помехи, наводки, поступающие на входы в фазе. Поскольку создает глубокую ПООСТ для обоих плеч ДУ, то для синфазного сигнала будет наблюдаться значительное уменьшение коэффициентов передачи каскадов с ОЭ, образующих эти плечи.
Коэффициент усиления каждого плеча для синфазного сигнала можно представить как каскада с ОЭ при глубокой ООС. Согласно подраздела 3.2 имеем:
,
.
Теперь можно записать для всего ДУ:
,
где .
Для оценки подавления синфазного сигнала вводят коэффициент ослабления синфазного сигнала (КОСС), равный отношению модулей коэффициентов передач дифференциального и синфазного сигналов.
Из сказанного следует, что увеличение КОСС возможно путем уменьшения разброса номиналов резисторов в цепях коллекторов (в монолитных ИМС - не более 3%) и путем увеличения . Однако увеличение требует увеличения напряжения источника питания (что неизбежно приведет к увеличению рассеиваемой тепловой мощности в ДУ), и не всегда возможно из-за технологических трудностей реализации резисторов больших номиналов в монолитных ИМС.
Решить эту проблему позволяет использование электронного эквивалента резистора большого номинала, которым является источник стабильного тока (ИСТ), варианты схем которого приведены на рисунке 5.6.
ИСТ подключается вместо (см. рисунок 5.5), а заданный ток и термостабильность обеспечивают элементы , , и (рисунок 5.6а), и (рисунок 5.6б). Для реальных условий ИСТ представляет собой эквивалент сопротивления для изменяющегося сигнала номиналом до единиц мегом, а в режиме покоя - порядка единиц килоом, что делает ДУ экономичным по питанию.
Использование ИСТ позволяет реализовать ДУ в виде экономичной ИМС, с КОСС порядка 100дБ.
При использовании ПТ характер построения ДУ не меняется, следует только учитывать особенности питания и термостабилизации ПТ.
5.4. Схемы включения ДУ
Можно выделить четыре схемы включения ДУ: симметричный вход и выход, несимметричный вход и симметричный выход, симметричный вход и несимметричный выход, несимметричный вход и выход.
Схема включения ДУ симметричный вход и выход приведена на рисунке 5.7 и в особых комментариях не нуждается, такая схема включения применяется при каскадировании ДУ.
Схема включения ДУ несимметричный вход и симметричный выход рассматривалась ранее (см. рисунок 4.9).
Схема включения ДУ симметричный вход и несимметричный выход приведена на рисунке 5.8.
Такая схема включения ДУ применяется в случае необходимости перехода от симметричного источника сигнала (либо симметричного тракта передачи) к несимметричной нагрузке (несимметричному тракту передачи). Нетрудно показать, что дифференциальный коэффициент усиления при таком включении будет равен половине при симметричной нагрузке. Вместо резисторов в ДУ часто используют транзисторы, выполняющие функции динамических нагрузок. В рассматриваемом варианте включения ДУ целесообразно использовать в качестве динамической нагрузки так называемое токовое зеркало, образованное транзисторами и (рисунок 5.9).
При подаче на базу транзистора положительной полуволны гармонического сигнала , в цепи транзистора (включенного по схеме диода) возникает приращение тока . За счет этого тока возникает приращение напряжения между базой и эмиттером , которое является приращением входного напряжения для транзистора . Таким образом, в цепи коллектор - эмиттер возникает приращение тока, практически равное , поскольку в ДУ плечи симметричны. В рассматриваемый момент времени на базу транзистора подается отрицательная полуволна входного гармонического сигнала . Следовательно, в цепи его коллектора появилось отрицательное приращение тока . При этом приращение тока нагрузки ДУ равно , т.е. ДУ с отражателем тока обеспечивает большее усиление дифференциального сигнала. Необходимо также отметить, что для рассматриваемого варианта ДУ в режиме покоя ток нагрузки равен нулю.
При несимметричном входе и выходе работа ДУ в принципе не отличается от случая несимметричный вход - симметричный выход. В зависимости от того, с какого плеча снимается выходной сигнал, возможно получение синфазного или противофазного выходного сигнала, как это получается в фазоинверсном каскаде на основе ДУ (см. подраздел 4.4).
5.5. Точностные параметры ДУ
К точностным параметрам ДУ относятся паразитные напряжения и токи, имеющие место в режиме покоя, но оказывающие влияние на качество усиления рабочего сигнала.
В реальном ДУ за счет асимметрии плеч на выходе устройства всегда присутствует паразитное напряжение между выходами. Для сведения его к нулю на вход (плеча) необходимо подать компенсирующий сигнал - напряжение смещения нуля , представляющее собой кажущийся входной дифференциальный сигнал.
Напряжение порождается, в основном, разбросом величин обратных токов эмиттерных переходов и (), и разбросом номиналов резисторов и (). Для этих напряжений можно записать:
,
.
Зависимость от температуры представляется еще одним точностным параметром - температурной чувствительностью. Температурная чувствительность имеет размерность мкВ/град и определяется как разность ТКН эмиттерных переходов транзисторов плеч и уменьшается пропорционально уменьшению .
Следующим точностным параметром ДУ является ток смещения , представляющий собой разбаланс (разность) входных токов (токов баз транзисторов). Протекая через сопротивление источника сигнала , ток смещения создает на нем падение напряжения, действие которого равносильно ложному дифференциальному сигналу. Ток смещения можно представить как
.
Средний входной ток также является точностным параметром ДУ. Его можно представить как
.
Протекая через , ток создает на нем падение напряжения, действующее как синфазный входной сигнал. Хотя и ослабленное в раз, оно все же вызовет на выходе ДУ разбаланс потенциалов.
Температурные зависимости тока смещения и среднего входного тока можно учесть через температурную зависимость . Отметим, что обычно .
В ДУ на ПТ основным точностным параметром является , которое обычно больше, чем в ДУ на БТ.
В настоящее время ДУ представляют собой основной базовый каскад аналоговых ИМС, в частности, ДУ является входным каскадом любого операционного усилителя.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22
