Усилитель генератора с емкостным выходом

Еип, В

Ррасс, Вт

Рпотр, Вт

Iк0, мА

Uкэ0, В

47.5

10.2

29.45

0.62

16.5

Дроссель

16.5

5.1

5.1

0.31

16.5

Мощности рассеивания и потребления рассчитывались по формулам:

                                                 ,                                               (2.6)

                                                                                                 (2.7).

Таблица наглядно показывает, что использовать дроссель в цепи коллектора намного выгоднее с энергетической точки зрения. Поэтому далее будем использовать именно эту схему.

     Выбор транзистора осуществляется исходя из технического задания, по которому можно определить предельные электрические и частотные параметры требуемого транзистора. Для данного задания они составляют (с учетом запаса 20%):

Iк доп  > 1.2*Iк0=0.372 А

              Uк доп > 1.2*Uкэ0=20 В                                        (2.8)

Рк доп > 1.2*Pрасс=6.2 Вт

Fт= (3-10)*fв=(3-10)*200 МГц.

     Этим требованиям с достаточным запасом отвечает транзистор 2Т 916А [1], сравнительные справочные данные которого приведены ниже:

 Iк=2 А – максимально допустимый постоянный ток коллектора,

Uкэ=55 В – максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер,

Pк=20 Вт – выходная мощность при 1ГГц,

Fт= 1.4 ГГц – граничная частота коэффициента передачи тока базы,

, постоянная времени цепи обратной связи,             

, статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером,                   

, емкость коллекторного перехода,

, коэффициент передачи тока в схеме с общей базой,

, емкость коллекторного перехода, при напряжении коллектор-эмиттер, равном 10 В,

   Lэ=0.35 нГн, индуктивность эмиттерного выхода,

   Lб=1 нГн, индуктивность базового вывода.

 2.3.2. Расчет эквивалентных схем транзистора 2Т 916А


     В данном пункте рассчитаем две эквивалентные схемы замещения транзистора: низкочастотную модель Джиаколетто [2] и высокочастотную однонаправленную модель [2]. Полученные эквивалентные параметры найдут применение в последующих расчетах.

    

а) Модель Джиаколетто

     Модель Джиаколетто представлена на рисунке 2.5.

Рисунок 2.5 - Эквивалентная схема Джиаколетто.


     Для расчета используем справочные данные, выписанные выше [1]. Пересчитаем емкость коллекторного перехода на напряжение 10 В:

, емкость коллекторного перехода, рассчитанная при том же напряжении, что и постоянная времени цепи обратной связи.

     Элементы схемы рассчитываются по формулам [2]:

                            ,                                           (2.9)                            

,

                  ,                    (2.10)

                      ,                             (2.11)

,

                          ,                           (2.12)

                                                          ,                                            (2.13)

                                    ,                                   (2.14)

.

        б) Однонаправленная модель

     Однонаправленная модель представлена на рисунке 2.6 данного пункта.

Рисунок 2.6 - Однонаправленная модель.

Элементы модели рассчитываются на основе справочных данных по формулам [2]:

                             ,                       (2.15)

                              .                                       (2.16)


     2.3.3 Расчет схем термостабилизации


     В этом пункте производится сравнение эффективности использования различных схем термостабилизации транзистора выходного каскада: эмиттерной и активной коллекторной. Схема термостабилизации поддерживает значение постоянного тока, текущего через транзистор, на определенном, неизменном уровне при изменении внешних факторов (температура). Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 2.7.

Рисунок 2.7 – Схема эмиттерной термостабилизации.

     Расчет номиналов элементов осуществляется по известной методике, исходя из заданной рабочей точки. На эмиттере должно падать напряжение не менее 3-5 В, чтобы стабилизация была эффективной. Рабочая точка:

Uкэ0= 16.5В,

Iк0=0.31А.

     Номинал резистора Rэ находится по закону Ома:

                                  .                                           (2.17)

     Емкость СЭ обеспечивает беспрепятственное прохождение высокочастотной составляющей эмиттерного тока. Рассчитывается по формуле:

                                         .                                                         (2.18)

     Тогда  .

     Мощность, рассеиваемая на резисторе RЭ:

                               .                                    (2.19)

     Видно, что рассеиваемая мощность значительна. Это является определенным недостатком, т.к. создает дополнительные сложности при практическом исполнении устройства.

     Энергетический расчет производится по формулам:

                                 .                              (2.20)

     Номиналы резисторов делителя рассчитываются по формулам:

                      .                     (2.21)

     Расчет  схемы эмиттерной термостабилизации закончен.

     Схема активной коллекторной термостабилизации усилительного каскада приведена на рисунке 2.8.

Рисунок 2.8 – Схема активной коллекторной термостабилизации.

       В качестве управляемого активного сопротивления выбран маломощный транзистор КТ 316А со средним коэффициентом передачи тока базы 50. Напряжение на сопротивлении цепи коллектора по постоянному току должно быть больше 1 В, в данной схеме оно принято за 1.24 В.

     Энергетический расчет схемы производится по формулам [2]:

                         .                           (2.22)

Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:

                             .                                  (2.23)

      Видно, что мощность рассеивания на отдельном резисторе уменьшилась почти в три раза по сравнению с предыдущей схемой.

Рассчитаем номиналы схемы [2]:

                           .                     (2.24)

     Номиналы реактивных элементов рассчитываются по формулам:

                                                                                                    (2.25)

     Этим требованиям удовлетворяют следующие номиналы:

     Сравнивая две схемы видно, что более эффективно использовать активную коллекторную термостабилизацию, и с энергетической, и с практической точек зрения. Поэтому далее в принципиальной электрической схеме усилителя будет использоваться активная коллекторная схема термостабилизации.

      2.3.4. Расчет выходной корректирующей цепи

     Схема оконечного каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией приведена на рисунке 2.9.

Рисунок 2.9 – Схема выходной корректирующей цепи.

     От выходного каскада усилителя требуется получение максимально возможной выходной мощности в заданной полосе частот [1]. Это достигается путем реализации ощущаемого сопротивления нагрузки для внутреннего генератора транзистора равным постоянной величине во всем рабочем диапазоне частот. Одна из возможных реализаций - включение выходной емкости транзистора в фильтр нижних частот, используемый в качестве выходной КЦ. Расчет элементов КЦ проводится по методике Фано, обеспечивающей максимальное согласование в требуемой полосе частот.

     По имеющейся выходной емкости каскада (вычисленной в пункте 2.3.2) найдем параметр b3, чтобы применить таблицу коэффициентов [1]:

                    .                 (2.26)

     Требуемые параметры из таблицы коэффициентов [1] с учетом величины b3:

C1н=b1=1.2,     L1н=b2=0.944,     1.238.

     Разнормируем параметры и найдем номиналы элементов схемы:

                            .                              (2.27)

     2.3.5 Расчет межкаскадной корректирующей цепи

     Межкаскадная корректирующая цепь четвертого порядка представлена на рисунке 2.10.

Рисунок 2.10 - Межкаскадная корректирующая цепь четвертого порядка.

     Цепь такого вида обеспечивает реализацию усилительного каскада с различным  наклоном АЧХ, лежащим в пределах необходимых отклонений (повышение или понижение) с заданными частотными искажениями [1]. Таблица коэффициентов, полученная с помощью методики проектирования согласующе-выравнивающих цепей транзисторных усилителей, позволяет выбрать нормированные значения элементов МКЦ исходя из технического задания. МКЦ в данном усилителе должна обеспечить нулевой подъем АЧХ, с частотными искажениями в пределах . Требованиям технического задания соответствуют табличные [1] значения:                          

       

     Тип транзистора в каскаде, предшествующему данной МКЦ, точно такой же, как и в выходном каскаде. Это имеет значение для параметров нормировки элементов МКЦ оконечного каскада. Для расчета нормированных значений элементов МКЦ, обеспечивающих заданную форму АЧХ с учетом реальных значений Cвых и Rн, следует воспользоваться формулами пересчета [1]:

                                        .                                           (2.28)

     Найдем величины, необходимые для расчета нормированных величин по известным формулам:

     Пересчитаем табличные величины с учетом корректирующих формул:

                                               (2.29)

     Разнормируем элементы МКЦ по формулам:     

                                          ,     .                                                 (2.30)

    Рассчитаем номиналы элементов корректирующей схемы:

Страницы: 1, 2, 3, 4



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать