Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0,4|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА

P

4,2мВт

tзадержки

35нСек

Kразвёртки

20

Корпус

DIP14

К555ЛА4

Три логических элемента 3И-НЕ



выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Вход Х2

Вход Х4

Вход Х5

Вход Х6

Выход Y2

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y3

Вход Х7

Вход Х8

Вход Х9

Выход Y1

Вход Х3

Ucc



 

















DIP14

Керамический

 














Тип микросхемы

К555ЛА4

Фирма производитель

СНГ

Функциональные особенности

3 элемента 3И-НЕ

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 1,2мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 0,8мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА

P

11,8мВт

tзадержки

15нСек

Kразвёртки

20

Корпус

DIP14

К555ЛН1

Шесть инверторов



выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 



















DIP14

Пластик

 











 


Тип микросхемы

К555ЛН1

Фирма производитель

СНГ

Функциональные особенности

6 инверторов

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА

P

23,63мВт

Tзадержки

≤ 20нСек

Kразвёртки

20

Корпус

DIP14

К555ЛН2

Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом



выв.

Назначение


выв.

Назначение

1

2

3

4

5

6

7

Вход Х1

Выход Y1

Вход Х2

Выход Y2

Вход Х3

Выход Y3

Общий

8

9

10

11

12

13

14

Выход Y4

Вход Х4

Выход Y5

Вход Х5

Выход Y6

Вход Х6

Ucc

12

 



















DIP14

Пластик

 














Тип микросхемы

К555ЛН2

Фирма производитель

СНГ

Функциональные особенности

6 инверторов с открытым коллекторным выходом

Uпит

5В ± 5%

Uпит (низкого ур-ня)

≤ 0,5В

Uпит (высокого ур-ня)

≥ 2,7В

Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)

≤ 6,6мА

Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)

≤ 2,4мА

Iвых (низкого ур-ня)

≤ |-0.36|мА

Iвых (высокого ур-ня)

≤ 0,02мА

P

23,63мВт

Tзадержки

≤ 32нСек

Kразвёртки

20

Корпус

DIP14

ИНДИКАТОР ЦИФРОВОЙ

АЛС320Б





 

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать