Оптроны и их применение

            Общие требования, предъявляемые к оптической иммерсионной среде оптрона, следующие: высокое значение  показателя  преломления  nим;  высокое значение удельного сопротивления rим; высокая  критическая напряженность  поля  Еим кр,   достаточная  теплостойкость Dqим раб; хорошая  адгезия  с  кристаллами  кремния  и арсенида галлия; эластичность (это необходимо,  так как не  удается  обеспечить согласование  элементов оптрона по  коэффициентам  термического   расширения);  механическая  прочность,  так как  иммерсионная среда  в оптопаре  выполняет  не только  светопередающие, но  и конструкционные  функции;  технологичность   (удобство использования,   воспроизводимость   свойств,   дешевизна и т. п.).

            Основным   видом   иммерсионной   среды,  используемой  в оптронах  являются полимерные  оптические клеи. Для них типично nим =1,4... 1,6, rим > 1012... 1014  Ом см, Еим кр =80 кВ/мм, Dqим раб = - 60 ... 120 C. Клеи обладают хорошей адгезией к кремнию и арсениду галлия, сочетают высокую механическую прочность и устойчивость к термоциклированию. Используются также незатвердевающие вазелиноподобные и каучукоподобные оптические среды


2.2. ФИЗИКА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭHEPГИИ В ДИОДНОМ ОПТРОНЕ

 

            Рассмотрение       процессов   преобразования  энергии в  оптроне требует  учитывать квантовую  природу света. Известно,  что электромагнитное  излучение  может  быть представлено  в  виде  потока  частиц -  квантов (фотонов), энергия. каждого из которых  определяется соотношением;

Eф=hn=hc/nl                                                                         (2.1)

 где      h  -  постоянная  Планка ;

            с - скорость света в вакууме ;

            n - показатель преломления полупроводника ;

            n, l   - частота колебаний и длина волны оптического излучения.

            Если плотность  потока квантов  (т. е.  число квантов, пролетающих  через  единицу  площади  в   единицу  вpeмени)  равна  , то  полная удельная  мощность излучения составит:

Pф= Nф Eф                                                                              (2.2)

 и, как видно  из (2.1),   при заданном она  тем больше, чем  короче  длина  волны  излучения.  Поскольку  на  практике  заданной   бывает (энергетическая  облученность фотоприемника),    то  представляется    полезным   следующее соотношение

= Pф/ Eф=51015 l Pф                                                     (2.3)


Рис.2.1. Энергетическая диаграмма прямозонного полупроводника (на примере тройного соединения GaAsP).

где , см-2с-1; l, мкм;, мВт/см.

            Механизм    инжекционной    люминесценции в светодиоде состоит из трех основных  процессов: излучательная (и  безызлучательная) рекомбинация  в полупроводниках,  инжекция избыточных  неосновных носителей заряда в базу светодиода  и вывод  излучения из области генерации.

            Рекомбинация носителей заряда   в   полупроводнике определяется прежде всего его зонной  диаграммой, наличием и природой примесей  и дефектов,  степенью нарушения  равновесного  состояния.  Основные материалы оптронных  излучателей  (GaAs  и  тройные соединения на его основе GaA1As и  GaAsP) относятся  к прямозонным  полупроводникам т.е. к  таким, в  которых разрешенными являются прямые оптические переходы зона-зона (рис.2.1.). Каждый акт рекомбинации носителя заряда по этой схеме сопровождается излучением кванта, длина волны которого в соответствии с законом сохранения энергии определяется соотношением

lизл[мкм] =1,23/ Eф[эB]                                                       (2.4)

            Следует отметить, Что имеются и конкурирующие безызлучательные - механизмы рекомбинации   . К числу важнейших из них относятся:

            1. Рекомбинация на глубоких центрах. Электрон может переходить в валентную зону не прямо, а через те или иные центры рекомбинации, образующие разрешенные энергетические уровни в запрещенной зоне (уровень Et на рисунке 2.1).

            2. Оже-рекомбинация (или  ударная). При  очень высоких концентрациях свободных  носителей заряда  в полупроводнике растет  вероятность столкновения  трех тел, энергия   рекомбинирующей   электронно-дырочкой  пары при этом отдается третьему свободному носителю  в форме  кинетической  энергии,  которую он  постепенно растрачивает при соударениях с решеткой.

рис.2.2. Электрическая (a) и оптическая (b) модели светодиода.

A - оптически “прозрачная” часть кристалла; B - активная часть кристалла; C -“непрозрачная” часть кристалла; D - омические контакты; E - область объемного заряда.

            Относительная  роль  различных  механизмов рекомбинации   описывается   введением   понятия   внутреннего квантового выхода  излучения hint,  определяемого отношением вероятности  излучательной рекомбинации  к полной  (излучательной  и  безызлучательной) вероятности рекомбинации (или, иначе, отношением числа генерированных квантов к числу инжектированных за то же время неосновных носителей заряда). Значение hint является важнейшей характеристикой материала, используемого в светодиоде; очевидно, что 0 hint100%.

            Создание    избыточной    концентрации    свободных   носителей  в   активной  (излучающей)   области  кристалла светодиода     осуществляется     путем     инжекции    их  р   -   n-переходом,   смещенным  в   прямом  направлении.

            “Полезной” компонентной тока, поддерживающей  излучательную рекомбинацию в активной области диода, является  ток  электронов  In     (рис.2.2,а), инжектируемых   р   -   n-переходом.   К   “бесполезным” компонентам прямого тока относятся:

            1.  Дырочная  составляющая  Ip,  обусловленная инжекцией  дырок  в  n-область  и  отражающая  тот факт, что  р - n-переходов с  односторонней инжекцией  не бывает,  Доля этого  тока тем  меньше чем  сильнее легирована n-область по сравнению с р-областью.

            2.  Ток  рекомбинации (безызлучательной)  в области объемного  заряда  р  -  n-перехода  Iрек.  В полупроводниках  с  большой  шириной  запрещенной  зоны  при  малых прямых  смещениях  доля  этого  тока может  быть заметной.

            3.  Туннельный  ток Iтун ,  обусловленный “просачиванием” носителей  заряда  через  потенциальный  барьер. Ток  переносится  основными носителями  и вклада  в излучательную  рекомбинацию   не  дает.   Туннельный  ток тем  больше,  чем  уже  р -  n-переход, он  заметен при сильной  степени  легирования  базовой  области  и  при больших прямых смещениях.

            4. Ток поверхностных утечек Iпов,  обусловленный отличием  свойств  поверхности полупроводника  от свойств объема   и   наличием   тех  или   иных  закорачивающих включений.

Эффективность р  - n-перехода  характеризуется коэффициентом инжекции:

                                                      (2.5)

Очевидно, что  пределы возможного  изменения g те же, что и у hint, т. е. 0 g 100%.

            При  выводе  излучения  из  области  генерации имеют место следующие виды потерь энергии (рис. 2.2,6):

            1. Потери на самопоглощение (лучи 1). Если длина волны генерируемых квантов в точности соответствует  формуле (2.4),  то она  совпадает с  “красной границей” поглощения (см.  ниже), и  такое излучение  быстро поглощается   в  толще   полупроводника  (самопоглощение).В  действительности,  излучение в   прямозонных полупроводниках  идет  не  по  приведенной  выше идеальной, схеме. Поэтому  длина  волны  генерируемых  квантов несколько больше, чем по (2.4):

            2. Потери на полное внутреннее отражение (лучи 2).Известно, что при падении лучей света на границу раздела оптически плотной среды (полупроводник) с оптически менее плотной (воздух) для части этих лучей выполняется условие полного внутреннего отражения такие лучи, отразившиеся внутрь кристалла, в конечном счете теряются за счет самопоглощения.

            3. Потери  на обратное  и торцевое  излучение (луч 3  и  4).

Количественно      эффективность вывода оптической энергии из кристалла характеризуется  коэффициентом вывода Копт определяемым отношением мощности излучения, выходящего в  нужном направлении, к мощности излучения, генерируемой внутри кристалла. Так  же, как и для коэффициентов hint и g , всегда выполняется условие 0 Копт 100%.

            Интегральным показателем излучеательной способности светодиода является величина внешнего квантового выхода hext. Из сказанного ясно, что hext= hint g Копт.

            Перейдем к приемному блоку.  Принцип действия    используемых в оптронах фотприемников основан на внутреннем  фотоэффекте , заключающемся в отрыве электронов от атомов внутри тела под действием электромагнитного      (оптического)  излучения.

            Кванты    света,    поглощаясь    в    кристалле,    могут   вызывать   отрыв   электронов  от   атомов  как   самого  полупроводника,  так  и  примеси.  В  соответствии  с этим говорят     о собственном     (беспримесном)      и     примесном поглощении      (фотоэффекте).       Поскольку      концентрация примесных     атомов     мала,     фотоэлектрические     эффекты, основанные   на    собственном   поглощении,    всегда   существеннее,   чем   основанные   на   примесном.    Все   используемые   в   оптронах   фотоприемники  “работают”   на  беспримесном   фотоэффекте.   Для   того   чтобы   квант    света   вызывал  отрыв электрона  от атома,  необходимо выполнение  очевидных   энергетических  соотношений:

Eф1=hn1Ec-Ev                                                                      (2.6)

Eф2=hn2Ec-Et                                                                      (2.7)

             Таким  образом,  собственный  фотоэффект  может  иметь место  лишь при  воздействии на  полупроводник излучения  с  длиной  волны,  меньшей некоторого  значения lгр:

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать