Влияние граничных условий на критическую температуру неоднородных сверхпроводящих мезоструктур
Реферат
Влияние граничных условий на критическую температуру неоднородных сверхпроводящих мезоструктур
Исследования неоднородных сверхпроводящих мезоструктур, в которых сверхпроводимость обусловлена наличием эффекта близости, представляют большой интерес как с прикладной, так и с фундаментальной точек зрения.
В данной работе рассматривается проблема влияния внешних границ на критическую температуру структур типа сверхпроводник/нормальный металл (S/N) и сверхпроводник/ферромагнетик (S/F). В качестве структур типа S/N были рассмотрены трехслойные образцы вида N/S/N и S/N/S. В качестве структур S/F типа исследовались бислойные S/F структуры.
Измерения для многослойных структур S/N типа проводились на трехслойных образцах Cu/Nb/Cu и Nb/Cu/Nb, детали приготовления приведены в [1]. Измерения для структур S/F типа были выполнены на образцах Nb/PdNi детали приготовления описаны в [2].
Критические состояния для структур типа S/F и S/N в отсутствии внешнего магнитного поля без учета парамагнитного и спин-орбитального взаимодействия, могут быть описаны с помощью уравнений Узаделя [3]. В качестве условий сшивания на плоскостях контакта сверхпроводящего и несверхпроводящего слоев использовались условия Куприянова - Лукичева [4]. Метод решения приведен в [5].
Из [5] следует, что решение граничной задачи зависит от следующих параметров. Для S/N структур - от критической температуры массивного сверхпроводящего материала (Nb) TS, частоты Дебая wD, длин когерентности в сверхпроводящем и несверхпроводящем слоях:
,
,
где DS, DN(F) - постоянные диффузии сверхпроводящего и нормального (ферромагнитного) металлов; параметра прозрачности S/N(F) границы , и параметра
,
где rS, rN(F) - низкотемпературные (при T = 10 K) удельные сопротивления сверхпроводящего и нормального (ферромагнитного) металлов, соответственно. В случае S/F структур, кроме указанных выше параметров, подгоночным также оказывается еще один параметр - энергия обменного взаимодействия Eex.
Дебаевская частота, являясь параметром обрезания, должна быть достаточно большой, чтобы не влиять на критические характеристики сверхпроводника. Это условие с большим запасом выполняется для исследуемых материалов. В частности, для Nb wD = 275 K. Для определения длины когерентности трехслойных S/N структур xS = 6.4 нм были выполнены отдельные измерения Hc2(T). Для бислойных S/F структур получено xS = 6 нм [2].
Значение параметра p = 2.77 в рассматриваемом экспериментальном случае для Cu/Nb/Cu определяется вполне однозначно. Для структуры Nb/Cu/Nb оказывается возможным получить лишь оценку, p » 2.0 - 8.5. Для структуры Nb/PdNi согласно [2] - p » 0.1 - 1.29.
Параметр TS достаточно уверенно можно задать для N/S/N, сравнивая асимптотики экспериментальной и теоретической зависимостей Tc(dS); в результате для Cu/Nb/Cu имеем TS » 9 K. Для Nb/Cu/Nb можно установить лишь интервал допустимых значений 7.5 K < TS < 9.2 K. Для Nb/PdNi из асимптотического значения Tc(dS) при Tc→ ∞ получено - TS » 8.8 K. Для структуры Nb/PdNi согласно [2] получено значение Eex = 230 К.
Параметры и xN для структуры N/S/N функционально связаны т.е. существует кривая (xN), все точки которой дают одну и ту же зависимость Tc(dS) (вставка к рисунку 1a). На рисунке 1a белыми квадратами представлена зависимость, рассчитанная со значениями подгоночных параметров TS = 9 K, xS = 6.4 нм, p = 2.77, = 0.98, xN = 34 нм, экспериментальные данные обозначены черными точками.
Попытаемся теперь воспроизвести экспериментальную зависимость (черные точки на рис. 1b) Tc(dN) для структуры Nb/Cu/Nb с набором параметров, определенных в задаче о восстановлении зависимости Tc(dS). Оказывается, что при заданных p = 2.77, TS = 9 K не существует значений (,xN), воспроизводящих экспериментальную зависимость Tc(dN). На рисунке 1b треугольниками острием вниз представлена теоретическая кривая Tc(dN), построенная по параметрам = 0.98, xN = 34 нм, - видим полное несоответствие экспериментальным данным по структуре Nb/Cu/Nb. Воспроизвести экспериментальную зависимость Tc(dN) возможно, одновременно изменяя значения подгоночных параметров p, TS. На рисунке 1b треугольниками острием вверх показана кривая, рассчитанная со значениями подгоночных параметров = 0.98, xN = 34 нм, p = 2.77, характеризующих структуру Cu/Nb/Cu, и при TS = 8 K; однако хорошее согласие теории и эксперимента достигается при этом существенным изменением длины когерентности: xS = 8 нм. На том же рисунке белыми квадратами обозначена теоретическая зависимость Tc(dN), рассчитанная с параметрами структуры Cu/Nb/Cu xS = 6.4 нм, = 0.98, xN = 34 нм, и TS = 9 K, и с подгонкой параметра p; его значение, p = 9.8, выходит за границы интервала допустимых значений. Был получен также набор возможных значений параметров (TS, p), восстанавливающий зависимость Tc(dN) для S/N/S структур.
Рисунок 1. Зависимости Tc(dS) (a) и Tc(dN) (b) для трехслойных S/N структур.
На рисунке 2a линией обозначена теоретическая зависимость Tc(dS) для бислойных S/F структур, рассчитанная со значениями подгоночных параметров: Eex = 230 К, TS = 8.8 K, xS = 6 нм, p = 0.29, =3.2, lF = 4 нм, где lF - длина свободного пробега электрона в ферромагнитном слое, экспериментальные данные обозначены черными точками. Зафиксировав первые четыре параметра, можно получить набор параметров (, lF), значения которых восстанавливают зависимость Tc(dS) (вставка к рис. 2a, черные точки). На рисунке 2b линией изображена теоретическая зависимость Tc(dF), экспериментальные данные - черные точки. Область значений возможных подгоночных параметров (, lF) восстанавливающих зависимость Tc(dF) выделена на вставке к рис. 2a (белые точки).
Рисунок 2. Зависимости Tc(dS) (a) и Tc(dF) (b) для бислойных S/F структур.
Полученное различие в материальных параметрах, описывающих свойства S/N/S и N/S/N структур, в первую очередь обусловлено различием свойств внутреннего S слоя в Cu/Nb/Cu и внешних S слоев в Nb/Cu/Nb образцах. Неоднородность внешних поверхностей структуры S/N/S оказывает сильное влияние на ее характеристики. Фактически вместо трехслойной S/N/S мы имеем пятислойную многослойную структуру S¢/S/N/S/S¢, в которой свойства внешнего слоя S¢ точно не известны, и могут изменяться неконтролируемым образом для разных образцов. С практической точки зрения это значит, что для идентификации параметров многослойных структур вида N/S/…/S/N нельзя использовать S/N/S-структуры. Понятен способ преодоления этих сложностей: вместо структур S/N/S следует использовать структуры N/S/N/S/N. Расчеты, проведенные для структур S/F типа полностью подтверждают результат, полученный для структур типа S/N/S и N/S/N. Т.е. в случае бислойных структур Nb/PdNi набор значений подгоночных параметров, восстанавливающих зависимость Tc(dF), полностью входит в диапазон значений подгоночных параметров для Tc(dS).
Воздействие концентрированных потоков энергии на материалы является на сегодняшний день активно изучаемым вопросом физики твердого тела и физического материаловедения [1]. Среди широкого спектра различного вида высокоэнергетических воздействий особый интерес с точки зрения модифицирования структурно-фазового состояния и свойств приповерхностных слоев представляет воздействие компрессионными плазменными потоками. Особенностью энергетических потоков данного рода является сочетание квазистационарности воздействия и высокой плотности передаваемой энергии [2]. Обработка компрессионными плазменными потоками может проводиться на различного рода объектах, одним из которых является система «металлическое покрытие-кремниевая подложка». Наиболее важной научной и практической задачей является изучение возможости образования приповерхностных слоев силицидов металлов в результате плазменного воздействия, особенностей их состава и микроструктуры [3].
В настоящей работе исследовалась возможность силицидообразования в системе «никелевое покрытие-кремний» в результате воздействия компрессионных плазменных потоков, а также их структура и распределение в приповерхностном слое.
В качестве объекта исследования использовалась монокристаллическая пластина кремния (кристаллографическая ориентация (100)). Покрытие никеля толщиной 4 мкм наносилось методом химического осаждения. Согласно диаграмме состояния [4], в системе никель-кремний возможно образование ряда силицидов, обогащенных никелем (Ni3Si, Ni2Si, Ni31Si12, Ni3Si2), моносилицида NiSi и дисилицида NiSi2.
Генерирование компрессионных плазменных потоков проводилось в магнитоплазменном компрессоре компактной геометрии. В качестве плазмообразующего вещества использовались азот (давление ~400 Па). Воздействие проводилось одним импульсом и серией из трех импульсов. Продолжительность импульса составляла ~100 мкс, давление потока - 1,5 МПа, температура - 3 эВ, плотность поглощенной энергии - 8-13 Дж/см2.
Фазовый состав обработанной системы никель-кремний исследовался методом рентгеноструктурного анализа на дифрактометре ДРОН-4-13 при фокусировке по Брэггу-Брентано в излучении Cu Kα. Исследование элементного состава проводилось методом Оже-электронной спектроскопии на установке PHI-660 фирмы Perkin Elmer. Регистрация оже-электронов производилась при травлении образцов ионами аргона энергией 3 кВ. Микроструктура обработанной системы, а также планарное и латеральное распределение элементов изучались методом растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа на микроскопе LEO1455VP фирмы “Karl Zeiss” с энергодисперсионным рентгеноспектральным микроанализатором Rontec.
Исследования элементного состава обработанной системы показали, что высокоэнергетическое плазменное воздействие приводит к перераспределению компонент покрытия и подложки. Увеличение количества импульсов вызывает более глубокое проникновение никеля. Согласно результатам фазового анализа, плазменная обработка ведет к образованию силицидов. При увеличении плотности энергии потока плазмы практически весь никель вступает в реакции силицидообразования вследствие более интенсивного перемешивания. В результате воздействия одним импульсом формируются силициды NiSi, NiSi2, а в случае воздействия серией из трех импульсов - Ni2Si, NiSi, NiSi2. Совместное образование моно- и дисилицида никеля обусловлено их близкими энергиями образования (~85 кДж/моль), наиболее низкими среди всех силицидов никеля [5]. Формирование силицида Ni2Si и увеличение глубины проникновения никеля при воздействии серией импульсов связано с интенсивным взаимным диффузионным перемешиванием никеля и кремния при каждом последующем плазменном импульсе.
Страницы: 1, 2
