(10)
В
(11)
В
(12)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:
(14)
Ф;
(15)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(16)
А;
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(17)
А;
[8. стр.20-27]
Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС.
Решив неравенство получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски.
Таблица 3.1.2 Расчетные параметры транзистора КТ805А.
|
Наименование параметра |
Значение |
Единица измерения |
|
- коэффициент передачи |
9.086E+4 |
- |
|
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода |
0.99 |
- |
|
- коэффициент переноса |
1 |
- |
|
-диффузионная длина акцепторов |
5.212E-7 |
см |
|
- диффузионная длина доноров |
1.158E-7 |
см |
|
-ширина базы |
1.2E-6 |
см |
|
-инверсный коэффициент передачи |
53.642 |
- |
|
-площадь эмиттера |
3E-6 |
|
|
- площадь базы |
2E-5 |
|
|
-коэффициент |
0 |
|
|
- обратный ток эмиттера |
7.073E-12 |
A |
|
- обратный ток коллектора |
1.626E-11 |
A |
|
0.817 |
- |
|
|
0.937 |
- |
|
|
-температурный потенциал |
0,026 |
- |
|
-емкость перехода коллектор-база |
3.354E-11 |
Ф |
|
- емкость перехода эмиттер-база |
1.367E-11 |
Ф |
|
-максимальное напряжение коллектор-база |
4.527 |
В |
|
- максимальное напряжение эмиттер-база |
2.795E-3 |
В |
|
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор |
0.817 |
В |
|
-омическое сопротивление базы |
1.556E-3 |
Ом |
|
- омическое сопротивление коллектор |
1.958 |
Ом |
Таблица 3.1.3 Исходные параметры транзистора КТ502Е
|
Наименование параметра |
значение |
Единица измерения |
|
hб –глубина залегания р-n перехода база-коллектор |
см |
|
|
hэ - глубина залегания эмиттерного р-n перехода |
0.8 |
см |
|
hк- толщина коллекторной области |
см |
|
|
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности |
||
|
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода |
||
|
- поверхностная концентрация акцепторов в базе |
||
|
- концентрация донорной примеси в коллекторе |
||
|
- удельное объемное сопротивление коллекторной области |
||
|
- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы |
ð |
|
|
- удельное поверхностное сопротивление активной области базы |
ð |
|
|
- диффузионная длина дырок в эмиттере |
см |
|
|
- коэффициент диффузии дырок в эмиттере |
||
|
- диффузионная длина электронов в базе |
см |
|
|
- коэффициент диффузии электронов в базе |
||
|
- диффузионная длина дырок в коллекторе |
см |
|
|
- коэффициент диффузии дырок в коллекторе |
||
|
- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике |
||
|
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника |
- |
Расчет параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2
Длина эмиттера:
;
мкм
Длина базы:
(18)
Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :
(19)
Ом
(20)
Ом
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
Ширина базы составляет :
(21)
где =(0,5 – 2,5) мкм
мкм
Коэффициент переноса вычисляется по формуле:
где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;
Коэффициенты , и высчитываются по формулам :
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13
