Iб, мкА
50
40
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В

Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк , мА
6
5
4					ΔIк0
3								ΔIк
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

 ΔUкэ

Iб, мкА
50
40			ΔIб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

ΔUбэ

ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G – параметры.

          Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Страницы: 1, 2, 3

Голосование

Как вы оцениваете работу нашего сайта? Отлично Хорошо Нормально Плохо Результаты