Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры




Iб, мкА










50










40










30

Iб0










20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ


Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В


Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.


Iк ,

мА











6











5





 






4





ΔIк0



 


3













ΔIк



2










1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

 ΔUкэ


Iб, мкА










50










40




 ΔIб






30

Iб0








20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

ΔUбэ

ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА


H-параметры:


Определим G – параметры.

          Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:


G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом


Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Страницы: 1, 2, 3



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать