Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам

3. Порядок проведения работы.

3.1     Определение зависимости сопротивления фоторезистора от освещенности.

Подготовить цифровой вольтметр к измерению сопротивлений, для чего переключатель рода работ установить в положение «R», предел измерения – «10 мОм». Подключить цифровой вольтметр к клеммам фоторезистора, расположенным на правой боковой панели лабораторной установки.

Подать напряжение на стенд, переведя тумблер питания, расположенный на лицевой панели, в положение «Вкл». Изменяя освещенность регулятором на лицевой панели в соответствии со значениями в табл. 4.1, измерить и занести в табл. 4.1 сопротивление фоторезистора.

Таблица 4.1

E

лк

0

5

10

25

50

75

100

125

150

R

мОм

















b=Rт/R




















3.2   Снятие семейства вольтамперных характеристик фоторезистора.

 Собрать схему в соответствии с рис. 2.5. Подготовить цифровой вольтметр к измерению тока, для чего переключатель рода работ поставить в положение «мкА», предел измерения «100». Установить освещенность Е = 10 лк. Изменяя напряжение на выходе источника постоянного напряжения от 0 до 30 В (через 5 В), измерить и занести в табл. 4.2 значения тока через фоторезистор. Повторить  опыт при значениях освещенности 15, 25 лк. Темновой ток (при Е = 0) рассчитать по закону Ома:

 

Таблица 4.2

E = 0

Е= 10 лк

Е =15 лк

Е = 25 лк

U

Io

I

Iф

Sи

I

Iф

Sи

I

Iф

Sи

В

мкА

мкА

мкА

мкА/лм×В

мкА

мкА

мкА/лм×В

мкА

мкА

мкА/лм×В

0





















30











3.3   Определение зависимости интегральной чувствительно­сти фоторезистора от величины освещенности.

Зависимость Sи(E) определяется по схеме предыдущего опыта при неизменном значении напряже­ния U = 25 В. Результаты опыта и рас­четов занести в табл. 4.3.

Таблица 4.3

E

лк

0

10

20

40

60

80

100

120

150

I

мкА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iф

мкА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Sи

мкА/лм×В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4. Оформление отчета

1.      Привести схемы экспериментальных установок, данные измерительных приборов и исследуемого фоторезистора.

2.      Оформить таблицы с результатами измерений и вычислений. При расчетах использовать формулы  (4.1), (4.2).

3.      Построить графики R(E), Sи(E) и семейство ВАХ U(I) фоторезистора при освещенностях Е = 10, 15, 25 лк.

4.      Сделать краткие выводы по результатам проведенных исследо­ваний.

Контрольные вопросы

1.        Что такое фоторезистор, из каких материалов его изготавливают?

2.        Чем обусловлена фотопроводимость полупроводников?

3.        В чем отличие между внутренним и внешним фотоэффектом?

4.        Что такое темновое сопротивление, от чего зависит его величина?

5.        Что понимают под интегральной чувствительностью фоторезистора?

6.        Что такое световая характеристика? В чем причина ее нелинейности?

7.        Почему ВАХ фоторезистора при постоянной освещенности линейна?

8.        В чем основные недостатки фоторезисторов?



Работа 6.  Исследование свойств сегнетоэлектриков


Цель работыэкспериментальная проверка основ­ных теоретических положений, определяющих физические процессы в сегнетоэлектриках при их периодической переполяризации; приобретение практических навыков в построении основной кривой поляризации D(E) и определении потерь в сегнетоэлектрике.

1. Краткие сведения из теории

Сегнетоэлектриками называют кристаллические диэлектрики, диэлектрическая проницаемость которых достигает  больших значений (порядка 104…105) и зависит от напряженности электрического поля, температуры и предварительной поляризации.

При поляризации любого диэлектрика , где  – вектор электрического смещения,  – вектор напряженности внешнего электрического поля, поляризованность диэлектрика, которая представляет собой электрический момент единицы его объема, eo – электрическая постоянная.

Поляризованность вещества пропорциональна напряженности электрического поля:  где c абсолютная диэлектрическая восприимчивость вещества. В силу этого . Параметр                                              (6.1) носит название абсолютная диэлектрическая проницаемость и характеризует способность диэлектрика к поляризации. Относительная диэлектрическая проницаемость определяется выражением .                                                                                            (6.2)

Сегнетоэлектрики обладают самопроизвольной (спонтанной) поляризацией, связанной с наличием в структуре материала микроскопических областей – доменов, внутри которых диэлектрик поляризован до насыщения. Отдельные домены имеют различные направления электрических моментов. Результирующий электрический момент при этом равен нулю. Если сегнетоэлектрик подвергнуть воздействию внешнего электрического поля, домены ориентиру­ются по полю, и он оказывается поляризованным во всем объеме.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать