Проектирование модуля АФАР

R3=0,1 Ом;

C1=7 пФ;

C2=2 пФ;

C3=40 пФ;

L1=1,3 нГн;

L2=3,1 нГн;

L3=2,5 нГн;

H=80;

T=160 °;

U1=60 В;

U2=4 В;

U3=0,7 В;

U4=1,2 В;

P2=7 Вт;

S1=0,17;

F2=0,4 ГГц;

K1=10;

P3=3 Вт;

U0=19 В.

 

Результаты расчета:

2Т934А, ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, fвх=0,25 ГГц;

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Выходная мощность                          0,0614 Вт;

Мощность возбуждения                   8,07 мВт;

Коэффициент усиления                    KУМ=7,60825;

Потребляемая мощность                   61,501 мВт;

Мощность потерь                              8,1711 мВт;

Коэффициент полезного действия (электронный КПД)   ηэ=99,83%.


РЕЗЕРВЫ ТРАНЗИСТОРА

По напряжению на коллекторе        1,582314;

По напряжению на базе                   2,439582;

По рассеиваемой мощности             856,669;

Допустимая температура корпуса транзистора      159,8599 °С.


ЦЕПЬ КОЛЛЕКТОРА

Напряжение питания                        E0=19 В;

Амплитуда напряжения                   18,91915 В;

Напряженность режима                   0,9957449;

Амплитуда коллекторного тока       6,872006 мА;

Постоянная составляющая коллекторного тока                                         I0к=3,236894 мА;

Диссипативная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки R1вых УМ=166,933 Ом;

Реактивная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки         X1вых УМ=5,44388 Ом.


ЦЕПЬ БАЗЫ

Напряжение смещения по базе        E0б=1,2 В;

Амплитуда тока возбуждения          0,1756269 А;

Угол отсечки                                      34,69754 °;

Диссипативная составляющая входного сопротивления Zвх       R1вх УМ=0,5232769 Ом;

Реактивная составляющая входного сопротивления Zвх               X1вх УМ=4,491888 Ом.


4.1.2. расчет элементов принципиальной схемы усилителя мощности

Опираясь на проведенный расчет, получаем:

а) Цепь смещения (параллельная схема с автосмещением).

;

Выбираем R1: C2-33Н-0,5-360 Ом±5%,

где Е0б — напряжение смещения по базе;

Iок — постоянная составляющая коллекторного тока.

Из условий

; ;  (см. рис. 5),

где ; R1вх=R1вх УМ=0,523 Ом — диссипативная составляющая входного сопротивления базовой цепи, полученная в ходе расчетов на ЭВМ (см. п. 4.1.1.), получаем:

;

Выбираем С1: КМ-6-М1500-0,012 мкФ.

;

Выбираем С4: К10-17-1-П33-17,16 пФ.

.

Числовой коэффициент 10 введен для обеспечения справедливости вышеприведенных соотношений: «много больше» мы заменяем на «в 10 раз больше».


б) Последовательная схема питания.

Из соотношений

; ;  (см. рис. 6),

где rист — внутреннее сопротивление источника питания, rист=5 Ом; R1вых — диссипативная составляющая сопротивления коллекторной нагрузки, R1вых=R1вых УМ=166,93 Ом, получаем:

;

Выбираем С5: К10-17-1-П33-38,13 пФ.

;

Выбираем С3:

.

4.2. расчет умножителя частоты
4.2.1. расчет режима работы активного прибора (транзистора)

Выбор транзистора, расчет его режима работы и энергетических параметров выполнен на ЭВМ с помощью программы MULTIPLY, разработанной на каф. 406, и реализующей методику, описанную в п. 3.2. Исходные данные:

Параметры транзистора

Название транзистора:

2T919A;

Напряжение питания:

E0=19 В;

Статический коэффициент передачи тока:

50;

Напряжение приведения по базе:

0,7 В;

Граничная крутизна:

Sгр=0,13 См;

Граничная частота:

fгр=1800 МГц;

Емкость коллекторного перехода:

7,5 пФ;

Активная часть емкости коллектора:

2,5 пФ;

Емкость эмиттерного перехода:

50 пФ;

Сопротивление базы:

0,5 Ом;

Сопротивление эмиттера:

0,14 Ом;

Сопротивление коллектора:

0,7 Ом;

Индуктивность вывода базы:

0,14 нГн;

Индуктивность вывода эмиттера:

0,4 нГн;

Индуктивность вывода коллектора:

0,7 нГн;

Допустимая температура перехода:

150 °С;

Критический ток:

1,5 А;

Допустимое напряжение эмиттер-база:

3,5 В;

Допустимая рассеиваемая мощность:

10 Вт.

Результаты расчетов:
Параметры режима транзистора (2T919A, схема с ОБщей базой)

Напряженность граничного режима:

0,781;

Амплитуда коллекторного напряжения:

14,839 В;

Амплитуда n-й гармоники коллекторного тока:

0,07412 А;

Максимальный коллекторный ток:

Iк max=0,2912 А;

Постоянная составляющая коллекторного тока:

I0к=0,05941 А;

Амплитуда тока возбуждения:

0,14176 А;

Пиковое обратное напряжение эмиттер-база:

-1,12179 В;

Напряжение смещения по базе:

E0б=0,034491 В;

Сопротивление автоматического смещения:

0,580535 Ом;

Диссипативная составляющая входного сопротивления:

R1вх УЧ=5,4957 Ом;

Реактивная составляющая входного сопротивления:

X1вх УЧ=-3,4953 Ом;

Коэффициент усиления по мощности:

KУЧ=9,9589;

Мощность возбуждения:

0,0552266 Вт;

Мощность, потребляемая от источника питания:

1,1288 Вт;

Электронный КПД:

ηэ=48,72%;

Рассеиваемая мощность:

0,634064 Вт;

Диссипативная составляющая сопротивления нагрузки:

R1вых УЧ=180,013 Ом;

Реактивная составляющая сопротивления нагрузки:

X1вых УЧ=40,34 Ом;

Выходная мощность

Pвых УЧ=0,55 Вт;

Коэффициент умножения

n=2;

Угол отсечки

56,0 °;

Входная частота

fвх=0,25 ГГц;

Напряжение питания

E0=19,0 В.


4.2.2. расчет элементов принципиальной схемы умножителя частоты

Опираясь на проведенный расчет, получаем:

а) Входная цепь (параллельная схема с автосмещением, рис. 7).

0,579 Ом;

Выбираем R2: С2-33Н-0,5-0,560 Ом±5%;

R1вх=R1вх УЧ=5,495 Ом;

Аналогично вышесказанному:

;

Выбираем С7: КМ-6-М1500-0,011 мкФ.

;

б) Выходная цепь и фильтр-пробка (C9, C10, L7, рис. 8).

;

R1вых=R1вых УЧ=180,013 Ом.

Аналогично:

;

Выбираем С11: К10-17-1-П33-17,68 пФ.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать