Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия

8,83E-10

4,53E+10

50

1,15E-09

4,33E+10

60

1,40E-09

4,28E+10

70

1,64E-09

4,26E+10

80

1,88E-09

4,25E+10

90

2,12E-09

4,24E+10

100

2,36E-09

4,23E+10










Таблица 3.1.2.5. Вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия при освещенности (образец №3).

U, B

I, А

R, Om

0

0,00E+00

 

5

8,64E-11

5,78E+10

10

1,88E-10

5,31E+10

20

4,09E-10

4,88E+10

30

6,38E-10

4,7E+10

40

8,72E-10

4,58E+10

50

1,12E-09

4,46E+10

60

1,37E-09

4,37E+10

70

1,59E-09

4,4E+10

80

1,83E-09

4,37E+10

90

2,07E-09

4,34E+10

100

2,30E-09

4,35E+10


Таблица 3.1.2.6. Вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия при освещенности (образец №1) (противоположная полярность приложенного напряжения).


U, B

I, А

R, Om

0

0,00E+00

 

5

9,34E-11

5,35E+10

10

2,02E-10

4,96E+10

20

4,38E-10

4,57E+10

30

6,89E-10

4,36E+10

40

9,45E-10

4,23E+10

50

1,23E-09

4,05E+10

60

1,50E-09

3,99E+10

70

1,75E-09

3,99E+10

80

2,01E-09

3,97E+10

90

2,27E-09

3,96E+10

100

2,53E-09

3,95E+10







Таблица 3.1.2.7. Результаты измерений вольт-амперных характеристик образцов нитрида алюминия при освещении.


Образцы

Сопротивление Ом

Удельная проводимость, ом-1 м-1

Кратность изменения сопротивления

Концентра-ция неравновесных носителей, м-3

Образец №1

4.47 1010

0.26 10-4

104

0.116 1018

Образец №2

4.4 1010

0.55 10-4

1.4 103

0.24 1018

Образец №3

4.3 1013

0.243 10-4

1.58 103

0.1 1018



                Полученные результаты позволяют судить о качестве контактов и воспроизводимости свойств материала.


                Из графиков, представленных на рисунках 3.1.2.1 – 3.1.2.4. видно, что вольт-амперные характеристики образцов при смене полярности приложенного напряжения  на противоположное практически совпадают, из чего можно сделать вывод о том, что фотоэлектрические свойства материала мало изменяются от образца к образцу, а алюминиевые контакты можно считать омическими.


                Кратность изменения сопротивления для разных образцов находится в пределах от 1.4 103 до 104, что позволяет применять данный материал в качестве фоторезистора.

Рисунок 3.1.2.1. Вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия при освещенности (образец №1) при различных полярностях приложенного напряжения.

 


Рисунок 3.1.2.2. Вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия при освещенности (образец №2) при различных полярностях приложенного напряжения.


 

Рисунок 3.1.2.3. Вольт-амперная характеристика образца нитрида алюминия при освещенности (образец №3) при различных полярностях приложенного напряжения.

 

2

 

1

 

Рисунок 3.1.2.4. Вольт-амперные характеристики AlN. Темновая ВАХ (кривая 2) и ВАХ при освещенности (кривая 1). Мощность излучения для ВАХ при освещении – 21.4 мкВт.

 

 

 

3.2. Зависимость фототока от интенсивности падающего излучения.

                Измерения зависимости фототока от интенсивности падающего излучения проводились с помощью фильтра БС-7, не пропускающего ультрафиолетовое излучение. Таким образом, влияние излучения видимой области спектра было исключено путем вычитания значений интенсивности и фототока, полученных при использовании фильтра из их интегральных значений.

Измерения проводились для одного образца при напряжении на нем – U=90 В.

 Результаты измерений приведены в таблице 3.2. и на рисунке 3.2.

Зависимость фототока от интенсивности падающего излучения можно аппроксимировать следующим выражением:

, где

Iф(А)  – фототок; P (Вт) – мощность излучения; À и a – параметры, определяемы эмпирическим путем. Из найденной зависимости можно определить эти параметры:

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11



Реклама
В соцсетях
рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать рефераты скачать