14,340
1,593E-13
0,510
100,000
2478,440
5,003
12,680
12,520
1,391E-13
0,445
105,000
2505,802
4,949
11,000
10,840
1,204E-13
0,385
110,000
2533,164
4,895
9,110
8,950
9,944E-14
0,318
115,000
2560,526
4,843
8,000
7,840
8,711E-14
0,279
120,000
2587,888
4,792
7,110
6,950
7,722E-14
0,247
125,000
2615,250
4,741
5,880
5,720
6,356E-14
0,203
130,000
2642,612
4,692
4,860
4,700
5,222E-14
0,167
135,000
2669,974
4,644
3,980
3,820
4,244E-14
0,136
140,000
2697,336
4,597
3,300
3,140
3,489E-14
0,112
150,000
2752,060
4,506
2,210
2,050
2,278E-14
0,073
160,000
2806,784
4,418
1,510
1,350
1,500E-14
0,048
170,000
2861,508
4,333
1,070
0,910
1,011E-14
0,032
180,000
2916,232
4,252
0,768
0,608
6,756E-15
0,022
190,000
2970,956
4,174
0,574
0,414
4,600E-15
0,015
200,000
3025,680
4,098
0,469
0,309
3,433E-15
0,011
220,000
3135,128
3,955
0,398
0,238
2,644E-15
0,008
240,000
3244,576
3,822
0,373
0,213
2,367E-15
0,008
Рисунок 3.3. Спектральная зависимость фотопроводимости нитрида алюминия.
ГЛАВА 4 ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ДИПЛОМНОГО ПРОЕКТА
4.1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Развитие полупроводниковой оптоэлектроники требует новых исследований самых различных полупроводниковых материалов материала практически по всем направлениям. В настоящее время возникла потребность в полупроводниковых приемниках излучения, которые чувствительны только в ультрафиолетовой области спектра. Это связано с различными применениями данных приборов в биологии, медицине, военной технике и пр. Дипломная работа посвящена исследованию характеристик фотоприемников ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия. Нитрид алюминия является превосходным материалом для экстремальной оптоэлектроники - открываются новые возможности при создании приборов, стойких к воздействию высокой температуры, радиации. Кроме того, в пользу нитрида алюминия и сравнение его с другими материалами по части механической прочности.
Целью данной дипломной работы является исследование фотоэлектрических свойств нитрида алюминия. Необходимо отметить, что настоящая работа представляет собой лишь начальную стадию изучения данного материала и в дальнейшем возможны некоторые корректировки выбора материалов для изготовления приборов экстремальной оптоэлектроники, требований к их качеству и т.п.
Дипломная работа относится к разряду научно-исследовательской и носит поисковый характер. Выполнение НИР весьма актуально в настоящий момент, так как создание приборов оптоэлектроники для работы в экстремальных условиях является на сегодняшний день задачей многих производителей электронных приборов во всем мире.
Поскольку данная работа носит научно-исследовательский характер, в технико-экономическом обосновании проекта можно ограничиться расчетом себестоимости НИР.
4.2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТОИМОСТИ ПРОВЕДЕНИЯ НИР
Целью планирования сметной стоимости проведения НИР является экономически обоснованное определение величины затрат на ее выполнение независимо от источника финансирования. Стоимость разработки определяется по фактическим затратам.
В основе определения стоимости разработки лежит перечень выполненных работ и их трудоемкость, которые приведены в таблице 4.1.
Калькуляция себестоимости проведения НИР производится путем составления сметы, являющейся основным документом, на основе которого осуществляется финансирование, планирование и учет затрат.
Калькуляция расходов по статье “Материалы” приведена в таблице 4.2.
На основе трудоемкости выполнения работ по проведению НИР рассчитываются издержки на оплату труда ее исполнителей, являющиеся одной из основных статей калькуляции себестоимости разработки. Ввиду того, что работа инженера выполнялась дипломантом, издержки на оплату труда инженера учитывать не следует. Калькуляция расходов по статье “Заработная плата основных исполнителей” приведена в таблице 4.3.
Дополнительная заработная плата составляет 18% от основной заработной платы.
Отчисления на социальные нужды составляют 39% от суммы основной и дополнительной заработной платы основных исполнителей.
Таблица 4.1 Трудоемкость работ по проведению НИР
Этап проведения НИР
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
