Рис.1.6.5. Габаритні розміри електролітичних конденсаторів.
|
D |
5 |
6 |
8 |
10 |
13 |
16 |
18 |
22 |
25 |
|
P |
2.0 |
2.5 |
3.5 |
5.0 |
5/0 |
7.5 |
7.5 |
10 |
12.5 |
|
d |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.6 |
0.6 |
0.8 |
0.8 |
1.0 |
1.0 |
1.6.3 Вибір індуктивностей та трансформаторів
Вибираємо моточні вироби фірми Epcos.
У якості дроселів, для фільтрів по живленню, із таблиці виберемо дроселі типу DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Котушки індуктивності. Технічні параметри. Таблиця 1.6.9
|
Тип |
Індуктивність мкГн |
Q |
Тест. частота Гц |
Опір Ом |
Струм тип. А |
Струм нас. А |
|
|
L |
Q |
||||||
|
DB36-10-47 |
150±20% |
46 |
100К |
2.520М |
0.02 |
12.80 |
14.20 |
|
DST4-10-22 |
47±20% |
42 |
100К |
2.520М |
0.01 |
12.20 |
15.50 |
|
FMER-K26-09 |
60±20% |
56 |
100К |
2.520М |
0.12 |
8.2 |
10.4 |
Трансформатори вибираємо типу TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 діапазон робочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Вибір активних елементів
Вибираємо транзистори фірми STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технічні параметри транзисторів. Таблиця 1.6.10
|
Параметри |
К1531 |
GT15Q101 |
BC556 |
IRFP150 |
IRFD123 |
2N2907 |
К792 |
|
Напруга колектор-база (втік-затвор) |
500B |
1200В |
80В |
100В |
80В |
-60В |
900В |
|
Напруга колектор-емітер (втік-витік) |
500B |
1200В |
65В |
100В |
80В |
-40В |
900В |
|
Напруга база-емітер (затвор-витік) |
±30B |
±20В |
5В |
±20B |
±20B |
-5В |
±20B |
|
Струм колектора (втока) |
15A |
15А |
100мА |
43A |
1.1А |
-600мА |
3A |
|
Імпульсний струм колектора (втока) |
60A |
30А |
200мА |
170A |
4.4А |
-1.2А |
5A |
|
Струм бази |
|
|
2мА |
|
|
20мА |
|
|
Розсіювана потужність |
150Bт |
150Вт |
0.5Вт |
193Вт |
1.5Вт |
200мВт |
100Вт |
|
Вхідна ємність |
1480пФ |
1800пФ |
10пФ |
1750пФ |
450пФ |
30пФ |
800пФ |
|
Вихідна ємність |
400пФ |
|
3пФ |
420пФ |
200пФ |
8пФ |
250пФ |
|
Допустима температура |
150°C |
150°С |
150°С |
175°С |
150°С |
150°С |
150°С |
Вибираємо діоди фірм Fairchild та International Rectifier.
Технічні параметри діодів. Таблиця 1.6.11
|
Параметри |
Uзв., В |
Імакс., А |
Ізв., мА |
Fмакс., кГц |
|
PSOF107 |
300 |
0.3 |
0.005 |
40 |
|
1N4937 |
600 |
1.5 |
2 |
150 |
|
LL4148 |
100 |
0.2 |
0.005 |
300 |
|
LL414P |
60 |
0.5 |
0.01 |
300 |
|
MUR860 |
600 |
10 |
20 |
200 |
|
MUR31 |
800 |
8 |
2 |
10 |
|
RUR30100 |
1000 |
30 |
1 |
300 |
Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В якості контролерів живлення оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics.
В якості мікросхеми стабілізатора напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics.
Технічні параметри мікросхеми інтегрального стабілізаторів. Таблиця 1.6.13
|
Тип |
Вхідна напруга, В |
Напруга стабілізації, В |
Вихідний струм, А |
Температура, °С |
|
78M05ST |
+30 |
+5 |
1.2 |
-55…+125 |
1.7. Розрахунок друкованої плати.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22
