Дослідження особливостей залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних p-i-n структур різних типів та розмірів
Міністерство освіти та науки України
Запорізький національний університет
До захисту допущена
Зав. кафедрою ТЕМ
кандидат ф. м. наук, доцент
ДИПЛОМНА РОБОТА
ДОСЛІДЖЕННЯ ОСОБЛИВОСТЕЙ ЗАЛЕЖНОСТІ ЗАРЯДУ ПЕРЕМИКАННЯ ВІД ПРЯМОГО СТРУМУ ДЛЯ ЕПІТАКСІАЛЬНИХ P-I-N СТРУКТУР РІЗНИХ ТИПІВ ТА РОЗМІРІВ
Виконала,
Науковий керівник,
старший викладач
Нормоконтролер,
асистент
2009
Реферат
Дипломна робота містить: 54 стор., 27 рис., 9 табл., 12 джерел.
Досліджувались особливості залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних та дифузійних p-i-n структур різних типів та розмірів.
Метою роботи є виявлення особливості залежності та порівняти їх з аналогічною залежністю для дифузійних структур.
Завдання: вивчити фізику перехідних процесів в н/п діодах; освоїти установку для дослідження Qп; вивчити методику виміру Qп; виконати вимірювання та одержати графіки залежностей ,, , та ; провести аналіз отриманих результатів.
ДІОД, ЧАС ЖИТТЯ, ЗАРЯД ПЕРЕМИКАННЯ, ПЕРЕХІДНІ ПРОЦЕСИ, ПРЯМІЙ СТРУМ, ЗВОРОТНИЙ СТРУМ, НЕРІВНОВАЖНІ НОСІЇ ЗАРЯДУ, P-N ПЕРЕХІД, РЕЖИМ ПЕРЕМИКАННЯ, РЕКОМБІНАЦІЯ, ІМПУЛЬС, АМПЛІТУДА
Зміст
Реферат
Перелік умовних позначок, символів, одиниць, скорочень і термінів
Вступ
1 Напівпровідниковий діод
1.1 Загальні відомості
1.2 Вах напівпровідникового діода
1.3 P-i-n структури
2 Робота напівпровідникового діода в режимі перемикання
2.1 Фізичний механізм перемикання
2.2 Заряд перемикання
3 Особливості перемикання для діодів різних конструкцій
3.1 Сплавні діоди
3.2 Точкові діоди
3.3 Дифузійні діоди
3.4 Епітаксіальні діоди
4 Експерименти по визначенню заряду перемикання досліджуваних діодів
4.1 Експериментальна установка
4.2 Методика експерименту
5 Отримані результати та їх аналіз
6 Охорона праці
Висновки
Перелік посилань
Перелік умовних позначень, символів, одиниць, скорочень і термінів
Н.Н.З. - нерівноважні носії заряду
iзв -зворотний струм
iпр -прямий струм
Qп - заряд перемикання
- накопиченний заряд
d- діаметр структури
t - час життя н.н.з.
Вступ
Прогрес найважливіших областей нової техніки в значній мірі зобов’язаний напівпровідниковій електроніці. Успіхи останньої базуються на досягненнях техніки та технології одержання напівпровідникових кристалів високого ступеня чистоти і структурної досконалості, а також на підвищенні ефективності лабораторного та промислового контролю їх якості.
При контролюванні напівпровідникових виробів розглядаються їх електрофізичні параметри, до яких відносяться концентрація основних та неосновних носіїв заряду, рухливість і коефіцієнт дифузії основних та неосновних носіїв заряду, час життя нерівноважних носіїв заряду та концентрація донорних та акцепторних домішок.
Одним з найважливіших параметрів напівпровідникових матеріалів є час життя нерівноважних носіїв заряду.
Методи виміру часу життя нерівноважних носіїв заряду є основними методами контролю якості напівпровідникових матеріалів і структур, що містять p-n перехід, на основі яких виготовляють різні види напівпровідникових приладів і мікросхем, а також складають основу багатьох експериментальних методів дослідження в області фізики напівпровідників.
1. Напівпровідниковий діод
1.1 Загальні відомості
Напівпровідниковим діодом називають нелінійний електронний прилад з двома виводами. Діод частіше всього має структуру, на основі p-n переходу (рис1.1,а), іноді на основі випрямляючого контакту метал-напівпровідник (рис1.1,б). Окрім випрямляючого контакту у напівпровідниковому діоді з p-n переходом або з гетеропереходом повинно бути ще два невипрямляючих контакти, завдяки яким область напівпровідника з'єднується з виводами. Якщо в діоді застосовано випрямляючий контакт метал - напівпровідник, тоді невипрямляючий контакт всього один.
Рисунок 1.1 - Структури напівпровідникових діодів: а) -з p-n переходом; б) -з випрямляючим контактом метал-напівпровідник; В-випрямляючий контакт; Н- невипрямляючий контакт
В багатьох випадках напівпровідникові діоди роблять несиметричними, тобто концентрація домішок в одній з областей значно більша, ніж в іншій.
Отже, кількість неосновних носіїв, що інжектуються з сильно легованої області до слабо легованої(бази), значно більша, ніж в протилежному напрямку.
По типу матеріалу діоди поділяються на дві основні групи: кремнієві та германієві. Кремнієві діоди мають ряд суттєвих переваг порівняно з германієвим, оскільки фізичні властивості кремнію дозволяють одержувати p-n перехід з великою допустимою зворотною напругою; для кремнієвих діодів це напруження складає 1000…1500В,а для германієвих -100…400В.
Існують також діоди на основі контакту метал - напівпровідник (діод Шотки), на основі p-n переходу та p-i-n діоди. Ми розглядатимемо тільки два останні класи.
Основна область застосування діодів-схеми випрямляючих пристроїв. Окрім того, діоди широко використовуються в різних схемах автоматики, електроніки, радіотехніки і т.д.
1.2 ВАХ напівпровідникового діода
Залежність постійного струму через напівпровідниковий діод від напруги, або вольт - амперна характеристика звичайно має вид, що показаний на рис.1.2
Рисунок 1.2 - Вольт - амперна характеристика напівпровідникового діода
Вид вольт - амперної характеристики визначається багатьма факторами, відносний вплив яких розрізняється в залежності від конструкції діода, властивостей напівпровідникового матеріалу, стану поверхні напівпровідника, температури зовнішнього середовища і т.д.
При нульовій зовнішній напрузі на діоді з p- n переходом в області переходу існує потенційний бар’єр, завдяки якому струм дрейфу та дифузії урівноважують один одного. Якщо до виводів діода прикласти зовнішню напругу, то рівновага буде порушена. Дисбаланс, що виникає між струмом дифузії та струмом дрейфу, викличе рух носіїв заряду через перехід. Якщо прикладена напруга буде знижувати різність потенціалів в області переходу, тоді струм дрейфу зменшиться і буде переважати струм дифузії дірок і електронів через перехід. В цьому випадку кажуть, що діод має пряме зміщення. Якщо ж прикладена напруга підвищує різницю потенціалів на переході, то буде лише невеликий струм насичення, зобов’язаний своєю появою народженню електронно - дірочних пар біля переходу внаслідок термогенерації. Діод при цьому знаходиться у стані зворотного зміщення.
ВАХ p-n діода описується виразом:
,(1.1)
- при U100мВ:
(1.2)
- при U-100мВ: (1.3)
1.3 P-i-n структури
У діоді з p-i-n структурою при прямому зміщенні відбувається інжекція дірок із р+-шару та електронів із n+-шару в і-область /подвійна інжекція/. Інжектовані дірки, дифундуючи крізь базу, частково рекомбінують з електронами, а їх залишок переходить в n+-область, де рекомбінація завершується швидше, внаслідок великої концентрації електронів. Аналогічно відбувається рух інжектованих електронів з n+-області через базу в р+-область.
Досить широке використання знайшли перемикаючі p-i-n діоди, за допомогою яких вдається керувати порівняно високими рівнями СВЧ потужності. Схема найпростішої p-i-n структури зображена на рис.1.3.
Рисунок 1.3 - Схема структури p-i-n діода
Напівпровідник дійсно і-типа отримати практично неможливо; як би ретельно не очищався Si, в ньому завжди залишиться певна ,хай і невелика кількість домішки.
Кремній, з якого виготовляють p-i-n діоди, майже завжди р-типу, концентрація акцепторів в ньому дуже мала - .Концентрація донорів в n- області і акцепторів в р- області перевищують .Структура, що зображена на рис.1.3, використовується в потужних p-i-n діодах з товщиною і- області 10…400 мкм та з площею від долей до одиниць квадратного міліметра.
При аналізі принципу дії перемикаючих діодів викликають інтерес в першу чергу два крайніх випадки. Перший з них - режим прямого зміщення, коли через діод проходить прямий струм та опір напівпровідникової структури діода малий. Другий випадок - режим зворотного (або нульового) зміщення, характеризується великим опором структури діода. Перехід з одного режиму до іншого виконується стрибком. Такі перемикаючі режими роботи характерні майже для всіх видів пристроїв, де використовуються перемикаючі діоди.
В режимі прямого зміщення значно збільшується ємність структури, що означає зменшення її опору на СВЧ. Тому при прямому зміщенні цю ємність можна не враховувати і еквівалентна схема діода приймає вигляд, показаний на рис.1.4,а
Рисунок 1.4 - Еквівалентні схеми перемикаючого діода
Опір в цій схемі - прямий опір втрат перемикаючого діоду - є одним з параметрів, що характеризують якість перемикання діода. Значення залежить від струму прямого зміщення.
Еквівалентна схема для зворотного та нульового зміщення зображена на рис.1.4,б. ЇЇ також можна представити і у вигляді паралельної схеми рис.1.4,в. Обидві ці схеми повністю рівноцінні - при однаковій напрузі та частоті струм на вхідних затискачах має однакові амплітуду і фазу. Опір - зворотній опір втрат перемикаючого діода для послідовної еквівалентної схеми, а - зворотній опір втрат для паралельної схеми. Ці опори - параметри перемикаючого діода , що характеризують його якість.
ВАХ тонкої p-i-n структури описується виразом:
(1.4)
Р-i-n структури можуть бути виготовлені за епітаксіальною технологією, за дифузійною технологією, або за їх комбінацією.
2. Робота напівпровідникового діода в режимі перемикання
2.1 Фізичний механізм перемикання
Під впливом позитивної вхідної напруги через діод протікає прямий струм, величина якого визначається амплітудою імпульсу, опором навантаження і прямою провідністю діода (рис. 2.1). У момент, коли вхідна напруга змінює свою полярність, можна було б очікувати, що струм через діод також миттєво змінить свій напрямок, а по величині буде дорівнювати статичному зворотному струмові діода iзв. Однак практично, у перший момент спостерігається різке збільшення зворотного струму через діод i1 , і лише поступово з плином часом він зменшується до значення, рівного iзв.
Рисунок 2.1- Схема перемикання й осцилограми вхідної напруги і струму через діод
Наслідком перехідного процесу, що спостерігається, є ефект нагромадження і розсмоктування нерівноважних носіїв заряду в базі діода. Тривалість етапу розсмоктування прямо пропорційна часу життя дірок у базі і залежить від співвідношення прямого iпр і зворотного iзв струмів, що проходять через діод. З ростом iпр заряд, накопичений у базі дірок, зростає, що при незмінному струмі iзв приводить до збільшення tроз. При незмінному струмі iпр час розсмоктування тим менше, чим більше зворотний струм iзв. Тривалість tроз можна визначити з наступного трансцендентного рівняння:
