§ 3. Магнитострикция при техническом намагничивании
Известно, что в процессе технического намагничивания происходит смещение границ доменов и вращение вектора Is. Рассмотрим, как эти процессы влияют на изменение длины кристалла с положительной константой магнитной анизотропии K1.
Пусть внешнее магнитное поле параллельно оси [110] и в исходном состоянии объемы Vi доменов, намагниченных вдоль шести направлений легкого намагничивания, равновелики: V0100= V0I00 =V00I0 =V0001 =V00I 0 =V000I =1/6 V, где V – объем кристалла.
а) Смещение 180° доменных границ. При этом домены, намагниченные вдоль направлений [100] и_{010], поглощаются доменами,намагниченными в направлениях [100] и [010]. Изменения длины при смещении 180° доменных границ не происходит.
После того как
смещение этих границ заканчивается, объемы
доменов равны
V0I00= V00I0 =0
При этом средняя намагниченность кристалла
I= 2/3 (2) - ½ Is
б) Смещение 90° границ. При этом домены, намагниченные
вдоль направлений [100] и [010], поглощают домены,
намагниченные в направлениях [001] и [001]. В конце этого процесса объемы доменов
равны V100=V010=V/2,V001=V00I=0 и средняя намагниченность
кристалла
I = (2) - ½ Is
Отноносительное изменение длины, вызванное смещением 90° границ, будет при этом равно
∆l/l=1/3[(dl/l)[001] – (dl/l)[100]]=1/3[(dl/l)[001] – (dl/l)[010]] = (1/3)(3/4) l100 = ¼ l100
(28)
гле
(dl/l)[001] (a1 = a2 = 0, a3 = 1 ),
(dl/l)[100] (a2 = a3 = 0, a1 = 1 ),
(dl/l)[010] (a1 = a3 = 0, a2 = 1 ),
Отметим, что формула
(28) определяет лишь конечное изменение длины, соответствующее намагниченности I= (2) -
½ Is, при которой заканчивается процесс смещения
90° границ при условии, что вклад в намагниченность от процессов
вращения еще пренебрежимо мал.
в) Вращение. Если
процессы смещения 180 и 90 границ заканчиваются в
слабых магнитных полях, при которых вклад в намагниченность от процессов
вращения пренебрежимо мал, то можно считать, что при дальнейшем росте
магнитного поля вращение векторов намагниченности доменов к оси [110]
происходит в плоскости (001) .Пусть J - угол между направлением намагниченности
доменов и полем. Тогда намагниченность вдоль поля Н равна I=Is cos J. Относительное
удлинение вдоль оси [110] будет
(d l/l)[110] = - 1/2l100 + 3/4l100 (a21+a22) + 3/2l111a1a2 ,
где a1 = cos(p/4-J), a2 = sin(p/4-J) , откуда
(d l/l)[110] = ¼ l100 + ¾ l111 (2cos2J -1) » ¼ l100 + ¾ l111 (2(I/Is)2 -1).
Метод измерений и описание установки
На исследуемые в работе ферромагнитные образцы, наклеены проволочные тензодатчики, изготовленные из тонкой константановой проволоки. Константан имеет очень малый температурный коэффициент омического сопротивления и пригоден для выполнения прецизионных измерений. В результате явление магнитострикции при намагничивании образца изменяются и линейные размеры тензодатчика, что приводит к изменению его омического сопротивления. По величине изменения омического сопротивления можно судить о величине магнитострикции. Коэффициент пропорциональности изменения омического сопротивления тензодатчика называют коэффициентом тензочуствительности.
На рис.2 приведена электрическая схема установки для измерения магнитострикции. Схема собрана в виде стенда с клеммами для подключения внешних приборов, а именно: источника постоянного напряжения 10В. и микровольтметра постоянного тока. Через клеммы также подключается тензодатчик исследуемого образца и источник постоянного магнитного поля (соленоид). Измерительный проволочный тензодатчик ИТД является одним из плеч измерительного моста, во второе плечо которого включен компенсационный тензодатчик КТД, наклеенный на стальную полоску, находящуюся вне магнитного поля. Два других плеча измерительного моста образованы прецизионными резисторами R1 и R2 . Потенциометр R3 служит для грубой компенсации моста, а реоход R4 для точной компенсации. К диагонали измерительного моста через подвижный контакт реохода и клеммы x3,x4 “мкВ”
Подключается внешний микровольтметр. Резистор R5 задает ток питания датчиков. На стенде размещен также переменный резистор R6 для регулировки тока в соленоиде и, соответственно, амплитуды магнитного поля в нем. Конструктивно-технологические особенности выполнения измерений магнитострикции.
Измерение магнитострикции является прецизионным процессом, в силу малости измеряемой величены. Даже у никеля, имеющего одну из самых больших величин магнитострикции, она составляет всего 30x10-6. Поэтому при питании тензодатчиков током порядка 5мА, разбаланс моста составляет в зависимости от величены l от 1 до 10 мкВ, что соответствует изменению сопротивления тензодатчика 10-4-10-3 Ом. Для сравнения: величина термоЭДС контакта медь-конктантан – 30 мкВ/град С, а переходные сопротивления контактов могут достигать величин десятых долей Ома, т.е. ,по крайней мере, два мешающих фактора существенно превосходят измеряемую величину. Основные способы отстройки от мешающих факторов использованные в стенде:
-размещение контактов индуцирующих термоЭДС в соседних плечах моста для компенсации ее;
-использование скользящего контакта реохода (контакта с большим переходным сопротивлением) в высокоомной потнциалометрической цепи;
-обеспечение стабильного температурного режима за счет изготовления соленоида с большим запасом по мощности (во избежание его нагрева) и удаление его от измерительной схемы.
Перечень приборов и оснастки.
Для выполнения работы необходимы:
- стенд контроля,
- амперметр постоянного тока,
- микровольтметр постоянного тока или гальванометр,
- источник постоянного напряжения.
Порядок выполнения работы.
В качестве образцов работе используется ленты из никеля (образец №1) и лента из электротехнической стали марки 3414 толщиной 0,35 мм, вырезанной вдоль направления проката, совпадающего с направлением магнитной и кристаллографической текстуры (образец №2) и поперек направления проката, т.е. поперек направления магнитной текстуры (образец №3). Порядок выполнения измерений следующий:
1. Подготовить к измерениям рабочее место.
1.1. Подключить к клеммам “мкВ” микровольтметр постоянного напряжения к клеммам “U пит” источник постоянного напряжения, установив на нем напряжение 10 В. К клеммам “соленоид” подключить последовательно соедененные амперметр постоянного тока и соленоид. К клеммам “ИТД” подключить выводы тензодатчика, наклеенного на образце №1.
1.2. Установить переключатель пределов измерения микровольтметра в положение максимальной величине напряжения. Переключатель пределов измерения амперметра установить в положение “2А”, а ручку резистора регулировки тока соленоида в крайнее левое положение, соответствуещее минимальному току.
2. Выполнить измерения магнитострикции.
2.1. Включить в сеть микровольтметр и источник питания и дать ему прогреться в течении 5-10 мин.
2.2. С помощью резисторов “компенсация грубо” и реохода “компенсация точно” скомпенсировать измерительный мост – добиться минимальных показателей микровольтметра. Постепенно увеличивая чувствительность микровольтметра, довести ее до предела “100 кВ”.
2.3. Изменяя ток в соленоиде от минимального значения до 2А записать показания вольтметра, соответствуещее 5-6 точкам значений тока в соленоиде.
2.4. Выполнить измерения в том же порядке для образцов 2 и 3.
Примечания: 1. Перед заменой образца тензодатчика выключить источник напряжения, а ручки управления приборов установить в положение соответстстаующее п.1.2.
2. В случае, если не удается установить стрелку
микровольтметра на нулевое положение в процессе компенсации моста, допускается производить отсчет показаний относительно полученного (ненулевого) значения шкалы.
3. Замену образов производить при выключенном источнике питания микровольтметра.
3. Обработка результатов измерений.
3.1. Рассчитать величину магнитострикции, соответствующую показаниям микровольтметра.
3.2. По номиналам резисторов, указанным в схеме на рис.2 рассчитать ток тензодатчика.
3.3. Зная разбаланс моста в мкВ и ток через тензодатчик рассчитать разбаланс моста в Омах и определить соответствующую этому разбалансу магнитострикцию, используя соотношение:
l=∆l/l=g(∆R/R),
где ∆R – разбаланс моста в Омах.
R = 200 Oм – сопротивление тензодатчика,
g = 2 - коэффициент тензочувствительности.
3.4. Построить зависимость g =f(H) для всех образцов (постоянная соленоида К = 100 Э/А = H/J, где Н – амплитуда магнитного поля, J – ток соленоида).
3.5. Объяснить различия в зависимостях g =f(H) для образцов из электротехнической стали, вырезанных вдоль и поперек проката.
Рис. 2. Электрическая схема установки для измерения магнитострикции.
Литература.
1. Вонсовский С.В. Магнетизм: «Наука», 1971,
2. Ивановский В.И. Физика магнитных явлений, Издательство Московского университета, 1981
3. Г.Рейнбот. Магнитные материалы и их применение. Перевод с немецкого Л. Энергия, 1974, с. 375-380.
Контрольные вопросы.
1. Что такое магнитострикция ? Какова ее величина ? Чем явление магнитострикции отличается от пъезоэффекта ?
2. Вследствие чего возникают магнитострикционные деформации ?
3. Какова природа магнитной анизотропии ?
4. Какие оси в кубическом кристалле будут ОЛН, а какие ОТН ? Почему ?
5. Какие процессы влияют на изменение длины кристалла с положительной константой магнитной анизотропии K1 ?
6. Зная плотность свободной энергии можно сосчитать всю термодинамику системы. Чему равна плотность свободной энергии деформированного кристалла, намагниченного до насыщения?
7. Как зависят константы магнитной анизотропии от вектора намагниченности в приближении молекулярного поля?
8. Вектор спонтанной намагниченности Is вращается в плоскости (100) монокристалла кубической системы, j - угол между Is и крисаллографичеким направлением [001]. Вывести выражение для магнитострикции в функции угла j в направлении [111].
