(22)
мкм;
(23)
(24)
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
(25)
В
(26)
В
(27)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(30)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер – база определим как:
(31)
Ф;
(32)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(33)
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(34)
А ;
Таблица 3.1.4 Расчетные параметры транзистора КТ502Е
|
Наименование параметра |
Значение |
Единица измерения |
|
- коэффициент передачи |
1.368E+3 |
- |
|
- коэффициент инжекции эмиттерного перехода |
- |
|
|
- коэффициент переноса |
0.999 |
- |
|
-диффузионная длина акцепторов |
5.212E-7 |
см |
|
- диффузионная длина доноров |
1.158E-7 |
см |
|
-ширина базы |
1.2E-6 |
см |
|
-инверсный коэффициент передачи |
53.642 |
- |
|
-площадь эмиттера |
||
|
- площадь базы |
||
|
-коэффициент |
0 |
|
|
- обратный ток эмиттера |
7.073E-12 |
A |
|
- обратный ток коллектора |
1.626E-11 |
A |
|
- |
||
|
- |
||
|
-температурный потенциал |
- |
|
|
-емкость перехода коллектор-база |
3.354E-11 |
Ф |
|
- емкость перехода эмиттер-база |
1.367E-11 |
Ф |
|
-максимальное напряжение коллектор-база |
4.527 |
В |
|
- максимальное напряжение эмиттер-база |
2.795E-3 |
В |
|
- максимальное напряжение эмиттер- коллектор |
0.817 |
В |
|
-омическое сопротивление базы |
1.556E-3 |
Ом |
|
- омическое сопротивление коллектор |
1.958 |
Ом |
3.2 Расчет параметров диодов
Диоды формируются на основе одного из переходов планарно – эпитаксиальной структуры. Диоды сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наименьшими значениями обратного тока за счет малой площади и самой узкой области объемного заряда. Для других структур значение паразитной емкости характеризуется временем восстановления обратного сопротивления, т.е. временем переключения диода из открытого состояния в закрытое. Оно минимально (около 10 нс) для перехода эмиттер – база, при условии, что переход коллектор – база закорочен, при условии, что переход переход коллектор – база закорочен, так при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом слое. В других структурах заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе, поэтому время восстановления обратного сопротивления составляет 50…100нс.
Диод на основе транзисторной структуры с замкнутым переходом база – коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, поскольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Диод на основе перехода эмиттер – база применяют в цифровых схемах в качестве накопительного диода. Диоды с замкнутым переходом база – эмиттер, имеющие наибольшие напряжения пробоя, могут быть использованы в качестве диодов общего назначения [8, стр. 27,29].
3.2.1 Расчет параметров диода Д242Б
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2
Длина эмиттера:
; (1)
мкм
Длина базы:
(2)
Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :
(3)
Ом
(4)
Ом
где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)
Ширина базы составляет :
(5)
где =(0,5 – 2,5) мкм
мкм
Коэффициент переноса вычисляется по формуле:
(6)
где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,
=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;
Коэффициенты , и высчитываются по формулам :
(7)
(8)
мкм;
(9)
Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:
(10)
В
(11)
В
(12)
В
- концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике.
Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:
(13)
Емкость перехода коллектор-база и эмиттер – база определим как:
(14)
Ф;
(15)
Ф;
Обратный ток эмиттера определяется по формуле:
(16)
А;
Обратный ток коллектора определяется по формуле:
(17)
А;
3.2.2 Расчет параметров диода Д303
Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2
Длина эмиттера:
; (18)
мкм
Длина базы:
(19)
Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13
